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一种防腐耐磨铁基非晶薄膜及其制备方法
本发明公开了一种防腐耐磨铁基非晶薄膜及其制备方法，其包 括的成分及该成分的原子百分比含量分别为：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制备方法包含 S1 制备单一合金靶材；S2 选择衬底材料， 将衬底表面进行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 进行磁控溅射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup
华中科技大学
2021-04-14
一种多层薄膜微结构自对准制备方法及装置
本发明公开一种多层薄膜微结构自对准制备方法，通过分隔板 将喷头内腔体纵向分为至少两个腔室，在各腔室内注入不相溶的高分 子溶液，并汇聚于喷头的喷嘴处；施加高压静电场，同时驱使接收板 做平面直线运动，在高压静电场作用下喷嘴处的溶液变形成泰勒锥， 从泰勒锥尖端拉出射流，射流中的多种高分子材料先后沿着接收板运 动的方向进行静电纺丝，形成多层薄膜微结构。本发明还公开一种实 现上述方法的装置，分隔板纵向设于喷嘴内，将喷嘴内腔体分隔为至 少左右两个腔室；在喷嘴端部设有端部盖板，端部盖板与喷嘴端部之 间设有密封片；
华中科技大学
2021-04-14
一种有机-无机复合电致变色薄膜及其制备方法
本发明公开了一种有机-无机复合电致变色薄膜及其制备方法。该薄膜为聚苯胺与三氧化钨的复合薄膜，其中含有5～80％质量分数的三氧化钨，薄膜厚度为50～300nm，表面具有纳米棒阵列形貌。该制备方法包括：将表面经羟基化处理的ITO玻璃或者ITO/PET基底垂直竖立并固定于反应容器中，将过氧化钨酸溶液与苯胺溶液的混合溶液倒入其中并搅拌；再加入过硫酸铵溶液，搅拌下进行反应；反应完成后，取出沉积有薄膜的基底并冲洗、干燥而得。本发明制备方法实现了聚苯胺/氧化物在分子层次复合，工艺简单，成分可方便控制，成本较低，易于实现工业化。制得的薄膜光谱调节范围大、颜色丰富、响应速度快、循环寿命长，应用范围广泛。
浙江大学
2021-04-13
一种双波段薄膜光探测器及其制备方法
本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并公开了一种双波段 薄膜光探测器，包括基底薄片、第一电极层、第一 WSe2 层、石墨烯 层、第一 MoS2 层、第二电极层、介质层、第二 WSe2 层、第三电极 层、第二 MoS2 层和第四电极层,第一电极层设置在基底薄片上;第一 WSe2 层铺设在基底薄片和第一电极层上;石墨烯层设置在第一 WSe2 层上;
华中科技大学
2021-04-14
一种连续导电模式单电感双输出开关变换器变频控制装置
本实用新型公开了一种连续导电模式单电感双输出开关变换器变频控制装置，通过限定电感电流峰值和谷值的大小，完成对变换器中主开关管和支路开关管的控制，实现各个输出支路的独立调节。与工作在连续导电模式的传统单电感双输出开关变换器相比，本实用新型具有稳定性好，可靠性高，抗干扰能力强，输入、负载瞬态响应速度快，输出支路间的交叉影响小等优点，可用于控制单电感双输出拓扑结构的多种变换器，诸如：Buck变换器、Boost变换器、Buck-boost变换器、Bipolar变换器等。
西南交通大学
2016-10-24
“FeTe上外延生长单层Bi2Te3产生的超导电性
拓扑界面超导作为一种二维体系，不仅可以为研究非常规超导体提供很好的平台，还可以为探测马约拉纳费米子提供研究思路，因此具有很高的研究价值，近些年受到广泛的关注。Bi3Te3/FeTe异质结就是一个典型的拓扑界面超导体系，其中FeTe是一种铁硫族化合物（即一种超导母体，但块体并不超导），Bi2Te3则是一种典型的拓扑绝缘体，两者都属于二维材料，且层与层间由范德华力连接。有研究证明，此界面结构的超导电性会随着Bi2Te3厚度增加而逐渐加强，并在5层Bi2
南方科技大学
2021-04-14
一种用于窄间隙焊接的能自动调节导电咀伸出长度的焊枪
本发明公开了一种用于窄间隙焊接的能自动调节导电咀伸出长 度的焊枪，尤其适用于激光-电弧复合焊。它包括喷咀、气体分流器、 导电咀、高度传感器、中央处理器以及执行机构；气体分流器上开有 裸露在外的出气孔，气体分流器通过保护喷咀的紧箍力防止滑落；导 电咀呈扁平状，与气体分流器相连，在导电咀端部安装两个对称布置 的高度传感器，用以检测它与焊缝表面之间的距离；中央处理器根据 高度传感器的采集信号控制执行机构以调节导电咀的伸长和收缩。本 发明可以通过高度传感器检测焊缝底部与导电咀之间的距离，以自动 调节导电咀伸出的长度，保证焊丝干伸长在合理的范围内，使得在激 光-电弧复合焊过程中电弧能稳定存在，最终实现厚板的高质量焊接。
华中科技大学
2021-04-13
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。
北京科技大学
2021-04-11
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。
南开大学
2021-02-01
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。
南开大学
2021-04-11