XM-YES新生儿生长发育指标评定测量及护理模型   功能特点： ■ XM-YES新生儿生长发育指标评定测量及护理模型（儿科常用体格指标测量模拟人）为整体婴儿，体表标志明显，便于操作。 ■ 采用高分子材料制成，环保无污染，肤质仿真度高。 ■ 婴儿体格检查：身长、体重、头围、胸围、腹围、上臂围等，测量值均在该月龄的数值范围内。 ■ 可练习婴儿抱持、包裹、换尿布、穿衣、擦浴、清洁五官、皮肤护理等多项护理操作。

XM-YES新生儿生长发育指标评定测量及护理模型   功能特点： ■ XM-YES新生儿生长发育指标评定测量及护理模型（儿科常用体格指标测量模拟人）为整体婴儿，体表标志明显，便于操作。 ■ 采用高分子材料制成，环保无污染，肤质仿真度高。 ■ 婴儿体格检查：身长、体重、头围、胸围、腹围、上臂围等，测量值均在该月龄的数值范围内。 ■ 可练习婴儿抱持、包裹、换尿布、穿衣、擦浴、清洁五官、皮肤护理等多项护理操作。

XM-F24骨盆测量示教模型   一、功能特点： ■ XM-F24女性骨盆测量示教模型采用高分子材料制成，仿真度高。 ■ 模型为女性成人骨盆，真实尺寸大小，解剖结构精确。 ■ 包括髋骨、骶骨、骶岬、尾骨、坐骨棘、坐骨结节、骶髂关节、髂耻隆突、耻骨联合及第4、5腰椎等结构。 ■ 可显示骨盆腔的三个平面：骨盆入口平面、中骨盆平面、骨盆出口平面。 ■ 骨盆测量示教：入口前后径、入口横径、入口斜径、小平面前后径、坐骨结节间径。   二、标准配置： ■ 女性骨盆测量操作模型：1个 ■ 说明书：1册 ■ 保修卡合格证：1张

石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星，开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料，石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外，还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而，石墨烯作为一种典型的半金属材料，它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来，它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来，人们一直致力于解决这一关键问题，最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是，在打开石墨烯带隙的同时，保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试，至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径，寻找新的具有超高载流子迁移率（线性色散）的二维材料，如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等，它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是，迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到：钙钛矿材料具有多样的组成和结构，如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等，为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外，钙钛矿结构中阳（阴）离子价态的劈裂和置换，阳（阴）离子的混合等，为组分工程提供了更多的可能性，从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构（带隙和电子色散）及物理、化学性质，为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注：左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图，中图为它的三维线性色散能带图（带隙0.5 eV），右图为它的光吸收系数，并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近，他们在硫化物钙钛矿的研究中，意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料，它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散，直接的本征准粒子带隙0.5 eV，超小载流子有效质量0.04m0，室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1，光吸收系数高达105 cm-1（超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3）, 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路，并进一步促进半导体产业的发展。

本发明公开了一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激 光器，包括：第一半导体激光器，用于发射蓝绿波段的连续激光来泵 浦谐振腔内的钛宝石晶体；谐振腔用于使近红外波段的激光发生振荡 和锁模输出飞秒脉冲激光；干涉仪使飞秒脉冲激光产生拍频信号得到 载波包络偏移频率；反馈调节单元用于调节谐振腔端镜的前后位置和 倾斜度以及半导体激光器输出激光的功率，从而保持重复频率和载波 包络偏移频率的稳定。本发明可以输出重复频率和载波包络偏

本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法；栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电 极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离

本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法，包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列； 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构；半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极； 源极与漏极串联连接；沟道为方柱形结构；四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度，

本发明提供的一种基于表面分子印迹技术的3‑MCPD检测方法及装置，将待测油脂与有机相介质体系混合以形成电化学介质体系，采用CNTs/SiO2‑MIPs修饰电极直接检测所述电化学介质体系中的3‑MCPD含量；其中，所述有机相介质体系包括极性或弱极性有机溶剂。相比于现有技术中在对3‑MCPD进行检测时，其对待测油脂的前处理过程过于复杂、处理效率低，本发明的基于表面分子印迹技术的3‑MCPD检测方法及装置，其检测效率高、检出限低。

本发明公开了一种表面PEG化的聚合物空心球的制备方法，将PEG化的聚合物溶于有机溶剂中，配制成PEG化的聚合物溶液，将PEG化的聚合物溶液与水混合，形成乳液，恒温20～30℃搅拌24～96h，得到表面PEG化的聚合物空心球；所述的PEG化的聚合物是由式M1所示的结构单元和式M2所示的结构单元组成的重均分子量为10000～100000的无规共聚物，所述无规共聚物中，M1结构单元的质量百分比含量为45～99％，M2结构单元的质量百分比含量为1～55％。本发明的制备方法，反应条件温和，制备得到的表面PEG化的聚合物空心球不仅拥有PEG化的表面，且交联的壳层结构也使聚合物空心球更加稳定。

本发明公开了一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法，采用将金属纳米颗粒分散在醇溶剂中形成金属纳米颗粒胶体溶液，在硅太阳电池片迎光面上，丝网印刷或喷淋或旋涂金属纳米颗粒胶体溶液，烘烤使醇溶剂从电池片表面挥发完全，在保护气体氛围下进行快速热处理退火温度，再进行二次常规热处理退火，实现硅太阳电池表面等离子体增益。本发明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特点，具有较大的应用前景。