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沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备
本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，提供一待刻蚀对象，对所述待刻蚀对象一次刻蚀后，交替进行表面处理‑二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；其中，一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层；表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层；所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤，既实现了对沟道层的保护，又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中，减少沟道层的损失量。
复旦大学
2021-01-12
电子科技大学电磁环境仿真及智能处理平台采购项目竞争性磋商
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电子科技大学
2022-05-27
华中科技大学X射线应力测定仪采购项目竞争性磋商公告
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华中科技大学
2022-05-31
北京交通大学超大规模预训练云服务项目竞争性磋商公告
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北京交通大学
2022-05-27
华中农业大学脉动真空灭菌器项目(二次)竞争性磋商公告
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华中农业大学
2022-06-07
中国海洋大学稳态瞬态荧光寿命光谱仪采购项目竞争性磋商公告
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中国海洋大学
2022-06-07
中国人民公安大学体能实验室设备购置采购项目竞争性磋商
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中国人民公安大学
2022-06-23
一种姜粉在缓解炎症性肠病以及调节肠道菌群紊乱中的应用
上海大学
2021-02-01
工信部等五部门联合印发《制造业可靠性提升实施意见》
到2025年，重点行业关键核心产品的可靠性水平明显提升，可靠性标准体系基本建立，企业质量与可靠性管理能力不断增强，可靠性试验验证能力大幅提升，专业人才队伍持续壮大。
工业和信息化部科技司
2023-07-03
科技创新标志性人物-王大中（国际核能领域著名学者、中国科学院院士）
王大中，男，1935年2月出生，河北昌黎人。1958年毕业于清华大学工程物理系。曾任清华大学核能技术研究所所长、清华大学校长。1993年当选中国科学院院士。
云上高博会
2021-08-17