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一种延性电路互联结构的制造装置、方法及产品
本发明属于延性电路制造领域，并公开了一种延性电路互联结 构的制造装置，包括注射器、高压发生器、金属收集板和振动发生器， 其中注射器中充有静电纺丝溶液并将静电纺丝溶液输送至金属喷头； 金属收集板承载有基板位于喷头的喷射下方，并通过与之相连的运动 平台一同沿着 X 轴或 Y 轴方向移动；振动发生器用于当金属收集板及 所承载的基板沿着 X 轴或 Y 轴方向平移的同时，使其沿着与平移方向 垂直的Y轴或X轴方向产生振动；高压发生器的正极与金属喷头相连， 其负极与金属收集板相连。本发明中还公开了相应的制备方法及其产 品。通过本发明，可生成具备高延展性、高精度级的二级波纹结构， 并尤其适用于延性电路互联结构的用途。
华中科技大学
2021-04-11
IECUBE-3833集成电路实景操作VR实训平台
IECUBE-3833集成电路实景操作VR实训平台可提供集成电路制造设备、工艺制造、封装操作和器件测试4类VR实操实验，与IECUBE-3831和IECUBE-3832平台配合使用。
北京曾益慧创科技有限公司
2022-07-08
一种动态存储器刷新方法与刷新控制器
本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储 Bank 的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行
华中科技大学
2021-04-14
一种分布式存储下基于冗余机制的数据恢复方法
本发明公开了一种分布式存储下基于冗余机制的数据恢复方法， 属于分布式存储技术领域。本发明预先额外设置一个阈值(t2)，其值小 于系统已有的用于判断永久性故障的阈值(t1)；系统周期性计算当前时 间与节点最近活跃时间的差值，若差值大于等于 t1，则认为其为永久 性故障节点；否则若差值大于等于 t2 且小于 t1，则认为其为暂时性故 障节点；否则若差值小于 t2，则认为其为非故障节点；若同一冗余组 内存在两个或两个以上的
华中科技大学
2021-04-14
一种针对粗粒组或大尺度单元体试样的毛细水上升试验仪
本发明公开了一种针对粗粒组或大尺度单元体试样的毛细水上升试验仪，包括基槽，补水罐，过滤箱，抽真空装置，试样筒和试样筒固定组件；试样筒通过试样筒固定组件固定在基槽内，基槽的一端通过进水管连接补水罐，基槽的另一端通过出水管连接过滤箱，抽真空装置设置在试样筒的顶部；本发明基于单元体试样截面尺寸与粗颗粒公称上限粒径相容机制，研制了一种毛细水上升试验仪，适用于
东南大学
2021-04-14
斜日字单元正三角形布管螺旋折流板电加热器
工业大中型电加热器通常采用多圈环形分层布置U型电加热管，并以弓形折流板支撑管束，其U型电加热管管间距各不相同，使流场分布不均匀，而且存在着有流动死区、传热系数较低、流动阻力较大，易诱导振动和结垢、电加热管表面温度不均匀、易形成局部热点，缩短使用寿命等缺点。斜日字单元正三角形布管螺旋折流板电加热器按正三角形网格布管，流动方向基本不变，具有高效低阻的优点。
东南大学
2021-04-10
西安交通大学实验室安全设施建设-存储柜竞争性磋商
西安交通大学实验室安全设施建设-存储柜竞争性磋商
西安交通大学
2022-05-27
一种异构存储介质下嵌入式数据库的管理方法
本发明公开了一种异构存储介质下嵌入式数据库的管理方法，具体为：将数据文件分为小数据块和大数据块，将大数据块和优先级低的小数据块存入外存，将优先级高的小数据块存入内存；嵌入式处理器查询到待访问数据的索引块，若该数据块存在于内存，则直接访问数据，若该数据块存在于外存，则访问外存中的数据；在系统空闲期，数据库根据访问情况将部分数据块降级释放到外存，加载部分急需的数据块到内存，以实现动态调度。本发明综合两种存储介质的优
华中科技大学
2021-04-14
一种云存储系统中基于溯源信息的视频共享方法与系统
本发明公开了云存储系统中基于溯源信息的视频共享方法。系统客户端收集视频溯源信息，客户端上传共享的视频及相关视频溯源信息，服务器根据客户端上传的视频溯源信息建立溯源图。云存储系统服务器接收到视频下载请求后，在溯源图中查找所述请求下载视频的起始视频，若查找到起始视频存在于云存储系统中，则根据 BFS(广度优先遍历)算法选择一条从所述起始视频到所述请求下载视频的代价最小的路径，依照该路径重新生成所述请求下载的视频并发送给客
华中科技大学
2021-04-14
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学
2021-04-14