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薄膜晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火,制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管,其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高,即用氮化硅薄膜封装,再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管,其开态电流和开关比都获得了数量级的提升(约40倍),而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常,大于300 cm2/(V·s),远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪(SIMS)和X射线光电子能谱分析(XPS)表征,发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级,而且氧空位缺陷态也大大减少了,而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出,该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著,而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用,为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式,并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学 2021-04-13
新型高密度存储材料与器件
已有样品/n“新型高密度存储材料与器件”面向大数据时代对海量数据存储和处理的需求,研究相变、阻变、铁电等新型存储材料和器件的设计与制备关键技术,发展用于高密度存储阵列的选通器件及三维集成技术,研制兼具信息存储、逻辑、运算、编解码等多功能的新型原型器件以及柔性阻变存储器原型器件,将为我国发展具有自主知识产权的新型高性能存储材料与器件奠定技术基础。
中国科学院大学 2021-01-12
核心真空电子器件关键技术
项目研制出倍频程和1.5倍频程宽带低二次谐波连续波行波管,二次谐波由-3 dBc降低到-7dBc,是目前国内外此类行波管综合技术水平最高的指标。并且研制出了国际上第一只高效率W波段脊加载曲折波导行波管及第一只V波段曲折波导宽带行波管。该项目获得四川省科技发明一等奖。
电子科技大学 2021-04-14
高性能红外光电探测器件
红外光电探测器在国防军事方面有重要的应用前景,比如红外制导、红外追踪、夜视仪等等。目前国外使用的主流红外光电探测器是基于碲镉汞的制冷型探测器和氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器。对于碲镉汞探测器来说,一方面在高质量的材料生长上存在很大的挑战;另一方面它需要辅助制冷装置来提供 77 K 的低温环境,极大地限制了其便携性和广泛使用性。而基于氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器由于其热辐射引发电阻变化的机制极大地限制了探测率(小于 10
南京大学 2021-04-14
高压大功率半导体器件IGCT
1. 痛点问题 功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标,我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域,对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本,是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而,受工作机理和制备工艺限制,IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA,已接近瓶颈,无法满足能源发展需求。因此,亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。 2020年,中国功率半导体市场规模达2000亿元,但90%以上依赖进口,尤其是4.5kV以上器件,近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。 2. 解决方案 本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求,提出了自主化IGCT器件(集成门极换流晶闸管)的设计、制备和驱动控制方案,可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗,且可以结合应用工况开展定制优化,如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等,从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。 目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件,功率等级全面覆盖IGBT,且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比,本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势,符合能源发展趋势,且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线,制造成本低,国内工艺基础好。
清华大学 2021-10-26
二维半导体材料与器件
提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略,显著调控了MoS2载流子浓度和功函数,为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段,研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊,应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。
哈尔滨工业大学 2021-04-14
一种 MEMS 器件的封装方法
本发明公开了一种 MEMS 器件的封装方法,包括 S1 在框架基 板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层;S2 在 框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜;S3 将芯片键合固定 在框架基板上并实现信号互连;S4 将固定有芯片的框架基板与封盖进 行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构;S5 对封装结构施加压力、 预热后引燃自蔓延多层膜,自蔓延多层膜燃烧并熔化钎料层实现冶金 互连。本发明将封盖直接与框架
华中科技大学 2021-04-14
光谱仪器光栅分光器件与部件
中阶梯光栅的刻划: ICP光谱仪的分光核心部件主要是中阶梯光栅,中阶梯光栅的二维分光系统,具备更高的分辨能力,使光谱仪具有分析精准、多元素同时检测以及检测速度快等优点。 √ 分辨力高 √ 制作难度大
上海理工大学 2021-04-13
二维材料中红外发光器件
中红外光谱技术被广泛应用于医疗诊断、军事侦察、工业控制、环境监测等领域。其中,中红外光源是实现中红外技术的核心部件之一。作为二维层状材料家族的新兴成员,黑磷(BP)已因其独特的性能而得到广泛研究。
南方科技大学 2021-04-14
长牡蛎“海大1号”、“海大2号”和“海大3号”新品种繁育及养殖技术
项目成果/简介:长牡蛎“海大1号”是我国培育的第一个牡蛎新品种,填补了我国牡蛎良种培育的空白。中国海洋大学自2006年在国内率先开始了长牡蛎快速生长系的选择育种,以山东乳山海区自然采苗养殖的长牡蛎为基础群体,基于群体选育、辅以分子标记辅助育种,采用有效繁殖亲本数量控制、选育群体世代遗传参数与选择效应评估以及选育世代遗传多样性监测等多项关键技术,通过连续6代成功培育出长牡蛎“海大1号”新品种。该新品种具有生长速度快、壳型规则等特性,目前在山东、辽宁、江苏等地养殖面积超过20万亩,取得了显著的经济和社会效益,有力推动了我国牡蛎养殖业的良种化进程。长牡蛎“海大2号” 新品种是中国海洋大学继培育我国第一个生长性状优良的长牡蛎“海大1号”新品种的基础上培育的长牡蛎第二个新品种。长牡蛎“海大2号” 新品种是以金黄壳色和生长速度作为选育目标性状,采用家系选育和群体选育相结合的混合选育技术,辅以分子标记辅助育种,经过4代培育而成。该新品种体重和出肉率可分别提高38%和25%以上,左右壳和外套膜均为色泽亮丽的金黄色(养殖户喜称“金牡蛎”“金蚝”),在北方沿海进行了示范养殖,深受育苗企业和广大养殖户的喜爱,大大提高了我国养殖牡蛎的品质和档次。长牡蛎“海大3号”新品种是以2010年从山东沿海长牡蛎野生群体中筛选出的左壳为黑色的个体为基础群体,以壳黑色和生长速度为目标性状,采用家系选育和群体选育相结合的混合选育技术,经连续6代选育而成。在相同养殖条件下,与未经选育的长牡蛎相比,10月龄贝壳高平均提高9%,软体部重平均提高64.5%,左右壳和外套膜均为黑色,黑色性状比例达100%。适宜在山东和辽宁人工可控的海水水体中养殖。项目阶段:工业化生产阶段效益分析:牡蛎是世界上养殖产量最大的海水养殖种类,世界年产量为400多万吨,产值近40亿美元,也是消费量最多的贝类产品。我国是牡蛎的故乡,牡蛎居我国四大经济贝类之首,年产量480多万吨,占世界牡蛎产量的4/5。我国牡蛎产量虽然很大,但产值仅占世界的1/4左右。在我国牡蛎价格仅为2-4元/kg,而在美国和欧盟国家的牡蛎价格却高达1~2 美元/个。虽然国外牡蛎价格昂贵,但我国每年却要从美国、澳大利亚等国家进口大量的牡蛎,来满足各大城市高档市场的需求。长牡蛎“海大1号”、“海大2号”和“海大3号”新品种品质优良,可作为进口牡蛎的替代产品,具有广阔的市场前景。预期投资500万元,养殖规模2000亩,产值2000~3000万元。知识产权类型:发明专利 、 软件著作权知识产权编号:GS-01-005-2013 GS-01-007-2016 ZL201410120162.9 GS-01-007-2018技术成熟度:通过中试技术先进程度:达到国内领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:无
中国海洋大学 2021-04-11
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