产品详细介绍

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灯具采用整体式铝合金结构设计，造型简洁、易于安装； 灯罩采用优质pc扩散材料,有效减少嫁光； 釆用优质高效的隔离恒流驱动，高p无频闪； 密封式设计、防尘、防蚊虫；技术性能指标符合国家强制认证标准；

项目 参数 输入电压 AC90～245V 频率范围 50/60Hz 功率因数 ≥0.95 认证符合 CCC 电路保护 短路保护，过流保护，过电压保护，抗浪涌，防雷及过温保护 光源 Osram/COB 功率 100W-1000W 配光曲线 Refer to "light distribution curve" 光斑 对称/非对称配光 相关色温 3000-6500K 灯具光效 ≥100lm/W 显色指数 ≥70 材质及表面处理 高强度铝合金电泳防腐 反射器 高纯铝(99.98%)阳极氧化反射器，反射率＞94% 防护玻璃 厚度5mm钢化玻璃 外形尺寸 详见尺寸图 净重 祥见重量图 防护等级 IP 65 工作湿度 10%～95%R.H. 工作温度 -30℃～+50℃ 储存温度 -40℃～50℃ 外壳温度 ＜60°(Ta=25℃) 寿命Ta=25℃ 50000H 维护系数 0.9

随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。

电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器

作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。

高功率超短脉冲激光技术在激光精细加工和激光 3D 打印等领域表现出很大的优势，可以提供十微米以下甚至亚微米级的加工精度，市场应用前景广阔。由于高功率超短脉冲激光的脉冲宽度非常窄（工业应用通常在百飞秒至几十皮秒量级），单脉冲能量较大，峰值功率非常高，普通实芯石英光纤  受限于材料的非线性和损伤阈值低的问题，无法传输如此高功率的超短脉冲。现在大多采用空间光路 反射输出，这大大增加了系统的复杂性，限制了其应用范围。 北工大基于国家自然科学基金项目，制备了高性能的无节点空芯反谐振光纤，该光纤纤芯为空气   结构，这就避免了材料的吸收，可以大大提高光纤的损伤阈值，进而可用来传输高功率超快激光。这 种高性能无节点空芯反谐振光纤利用改装的特种光纤拉丝塔通过堆积和拉制的方法拉制而成。目前， 国际范围内仅有少数科研单位和一家法国 GLO Photonics 公司具有制备该光纤的能力，并且销售价格较高（约 20,000 元 / 米），阻碍了其工业化应用进程。

Ø  成果简介：高功率大转矩交流感应电机驱动系统峰值转矩达1400Nm，应用效果良好；车用高效大功率永磁同步电机驱动系统填补了国内该领域的空白，突破了高速稳定弱磁调速技术难，比功率大于1.45kW/kg。该成果已在大洋电机、北京公交集团、627厂、福田、618厂、山东华盛集团、北京飞驰绿能、安徽安凯公司等企业得到推广应用。Ø  项目来源：自行开发Ø  技术领域：电气工程、新能源汽车Ø &n