台式六联混凝实验搅拌机采用一体成型设计，构造简单、操作方便，包装尺寸90厘米*30厘米*50厘米，净重40Kg，由搅拌杯、加药支架、桨叶、机箱等组成，该仪器涉及水处理技术领域的混凝、絮凝、沉淀等工艺流程的模拟与指导工作，整机一体成型，长90厘米，宽30厘米，高50厘米，有耐用、操作方便、占地面积小的特点，从机箱构造被分类为不锈钢六联混凝试验搅拌机、及烤漆六联混凝试验搅拌机，微电脑控制转速、时间、温度、加药等各项程序，被广泛应用于水厂、净水厂、污水处理厂、给排水厂等等各领域。 产品参数： 1、转速功率：180W 2、包装尺寸:90*30*50厘米/cm 3、转速范围：10～ 1200转/分　　± 0.01% 4、速度梯度G 值：10  ～ 1000秒-1   5、时间范围： 0  ～ 99 分59秒 x 10　± 0.01秒    6、测温范围： 0  ～   50℃　　± 1℃ 7、可设程序数量：25种； 每种自动无级变速10次                  8、电　　压： 0  ～  220V　　 ± 5%   产品性能： 1、微电脑控制、7寸大彩色液晶屏中/英文双显高清界面，可根据菜单和提示进行各项操作，在搅拌中同时动态显示各种参数。 2、可程控储存25组程序,每组程序可运行10段不同转速,（转速范围10-1200转/分）每段运行时间0-99分59秒。 3、六根搅拌轴可实现同步运行、或者异步运行的功能。 4、搅拌轴自动垂直升降，更容易保护矾花形成，并能根据不同容量的试验杯选择不同的计算方法计算G/GT值。 5、自动加药系统可在每段程序开始前，同步往烧杯内加药，可多次多品种自动加药。 6、可靠的高精度步进电机，其转速由电脑芯片数字信号控制，转速无重复性，误差为零。 7、配备高精度温度传感器用于检测水温或环境温度，实时显示在屏幕上。 8、仪器采用一体化设计，减少了分体设计中外露电缆连接安全性能低的隐患，外观整洁大气。 9、试验结束后有滴滴提示声提示。 10、搅拌器试验杯底座配置了LED灯， 可以清楚观察矾花的形成、大小和沉淀过程。 11、免费配送套装圆形(或方形)玻璃试验杯和试管。 12、搅拌无机械传动装置，避免了传统机械式搅拌机皮带和齿轮等传动部件的缺陷。 13、磨砂不锈钢机箱（烤漆机箱）构造，不仅美观大方，同时防腐、防锈、耐磨的性质增加了仪器使用寿命。    

智慧教育AIGC信创一体机是集pc端畅学杏林，手机端掌上金课为一体，结合高质量知识图谱、国产通用大语言模型和自主芯片算力的3级全信创AIGC服务器。响应教育部高校教育质量控制建设号召，结合OBE教育理念将BOPPPS教育模式，应用于学生手机端，教师在课堂中把控五步关键环节，激活学生4种互动状态，保障继教课程质量。构建起智学、智教、智管、智评“四位一体”服务平台，推动全终端、全受众、全空域、全时域、全场景、全连接的“六全式”融合教学模式改革。 丰富的课程资源：汇聚成都中医药大学1200门优秀本科课程，包括国家一流课程、省级一流课程、名师讲堂等，全校师生可以选择学习。提供全面的中医药数字教学资源，涵盖电子教材、视频讲座直播课堂和在线测试等功能，方便师生随时访问。 特色AI教学工具：主要特色通过集成的AI教学工具，实现线上线下混合式学习，提高教学效率，并促进教学方法的。允许教师通过AI出题、AI答疑、AI微课功能协助开展教学，提高备课、教学效率。学生则可通过AI助学功能，利用语音或文字输入进行提问和获取智能答疑。 可视化“教学督导”：围绕课程教学质量，搭建“学生画像”、“教师画像”教学评价，提供校内、校外业务相统一的督导巡课平台。创建校外专家评审链接，在外网环境下，点击链接即可访问平台进行督导巡课。 智慧教育AIGC信创一体机一体机集大模型Agent软硬件、算法和数据处理多维层级灵活部署，搭载鲲鹏920处理器，支持8张Atlas300i加速卡超强算力，结合多核高效鲲鹏架构，提供高效AIGC大语言模型推理和数据处理及安全保护体系。 让高校智慧教育快速实现：智慧教育AIGC信创一体机在手，教育创新与数字化转型的蓝图便触手可及。

本发明公开了一种用于偏瘫患者的多自由度拇指康复训练装置，包括支撑底座以及固定在支撑底座上的驱动传感机构Ｉ和驱动传感机构ＩＩ，驱动传感机构Ｉ和驱动传感机构ＩＩ由光电编码器、直流力矩电机、磁流变液阻尼器和力矩传感器组成；其中，驱动传感机构Ｉ的输出端通过联轴器Ｉ连接弧形导轨的一端，弧形导轨的另一端依次通过连接杆Ｉ、连接杆ＩＩ、连接杆ＩＩＩ固定在支撑板Ｉ上，连接杆ＩＩＩ通过轴承Ｉ固定在支撑板Ｉ上，支撑板Ｉ固定在支撑底座上；驱动传感机构ＩＩ的输出端通过联轴器ＩＩ连接手机训练机构的驱动轴，手指训练机构包括训练杆、前指套、后指套、驱动连接件和驱动轴，驱动轴通过驱动连接件与训练杆传动连接；训练杆的前端部嵌入弧形导轨中沿着弧形导轨滑动。

碳化硅的工业生产，国内外一直沿用 100 多年前 Acheson 发明的单炉芯技术，该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉产量小，因而生产效率低，产品市场竞争力差。高品质 SiC 新材料市场奇缺，严重制约了其在诸多高新技术领域的应用。 1995 年以来，课题组对以往国内外 SiC 生产炉的结构、生产技术和工艺进行了全面深入的调查、经多年潜心研究，创立了多热源多向流合成碳化硅理论体系，发明了 “ 冶炼碳化硅的多炉芯炉及其生产碳化硅的方法 ” 新技术。该技术获国家发明专利授权 1 项，获西安市科技进步一等奖、陕西省科技进步三等奖以及陕西省职工优秀发明创新成果金奖。已在国内陕西、青海、宁夏、新疆、福建等地建成生产线 10 余条，占据我国 SiC 产能的 1/4 ，创产值 30 亿余元，有力地推动了行业技术进步。

本技术成果涉及一类具有抗肿瘤作用的多芳乙烯取代β-二酮类化合物。

本发明为一种具有多生长因子次第释放特性的组织工程支架，属于药物剂型改变及制备方法技术领域。本发明中，结合微球缓释系统和支架的特点，采用复乳法分别制备BMP-2、VEGF和bFGF等生长因子的PLLA/PEG缓释微球，再利用超临界二氧化碳发泡技术将微球载入PLGA多孔支架中，构建具有可控次第释放特性的组织工程支架。本方法药物活性保持度高，有机溶剂残留量低，操作简单。所制备微球粒度分布窄，具有良好的缓释效果。复合支架孔径分布在150~300μm，连通性好，孔隙率为76.84%，抗压强度为5.11MPa，21天累计释放量为60.6%。本发明制备的支架在组织工程修复体中具有应用前景。

该专利技术在多直流馈入电网动态无功补偿装置和控制方法方面都做了技术创新，研制的动态无功补偿装置响应速度快、控制精准和可靠性高，解决了现有技术中多直流馈入系统中动态无功补偿装置经济性和可靠性不能兼顾的问题，提出的高压直流动态无功精准控制方法突破了现有技术中高压直流不能参加电网动态无功补偿的技术瓶颈，满足了多直流馈入受端电网电压稳定对动态无功支撑能力的要求。专利技术在南方电网进行实施，实际应用效果表明该技术能高效利用系统中的动态无功资源，显著提高了南方电网动态无功支持能力和电压稳定性，为多直流馈入电网的安全稳定运行提供了保障，确保了国家“西电东送”战略的顺利实施，促进了东西部的合作共赢，推动了国民经济和社会的发展。基于对该专利技术贡献率的测算，截至2017年12月底，累计新增销售额超过5亿元，累计新增利润超过4000万元。在第二十届中国专利奖评审中获得银奖。

本发明包括一种多枝树形等离激元波导复合纳米结构的合成及其光学操控方法，该合成方法包括多个步骤，每个步骤均可精确控制。树形纳米结构的主干和在其上生长的枝状纳米结构的粗细均可精确控制，在树形纳米结构表面叠加有壳或无壳的量子点形成量子点复合树形纳米结构，无壳量子点可用于化学催化、环境监测、生物传感等应用。光从纳米线一端入射，经纳米线及枝状结构，激励有壳量子点发光，可用于遥感拉曼、新型激光器等应用。通过光学操控可改变入射光的强度和偏振态，控制特定区域的量子点发光，可消除散射中心之间干涉衍射效应产生的串扰效应，从而可用于亚波长的高分辨率探测。

本发明公开了俯仰多视角的悬浮式360度视场空间三维显示装置，包括复合式偏折型散射屏、高速投影机、图像发生器、探测模块和旋转传动机构。高速投影机将三维物体不同俯仰角度水平360度全景视场的组合图像投影到高速旋转的复合式偏折型散射屏上。复合式偏折型散射屏可对不同角度入射光的垂直偏折及发散角度和水平发散角度进行控制，使环绕观看的不同高度的观察者的双眼观察到对应于其视点位置的图像，实现显示的三维物体悬浮于复合式偏折型散射屏的上面，且其位置不随视点的高低变化而改变。俯仰多视角的悬浮式360度视场空间三维显示可供多人俯仰多角度、水平360度全视场裸眼同时观看，实现空间遮挡消隐并可探入触摸交互。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。