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固支梁Ｔ型结间接加热在线式已知频率微波相位检测器
本发明的固支梁Ｔ型结间接加热在线式已知频率微波相位检测器由六端口固支梁耦合器、微波相位检测器和间接加热式微波功传感器级联构成；六端口固支梁耦合器由共面波导，介质层，空气层和固支梁构成；共面波导制作在ＳｉＯ２层上，固支梁的下方沉积介质层，并与空气层共同构成耦合电容结构，两个固支梁之间的共面波导长度为λ／４；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四及到第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待测信号经六端口固支梁耦合器的第一端口输入，由第三端口和第五端口输出到间接加热式微波功率传感器，由第四端
东南大学
2021-04-14
固支梁Ｔ型结直接加热在线式未知频率微波相位检测器
本发明的固支梁Ｔ型结直接加热在线式未知频率微波相位检测器由六端口固支梁耦合器，通道选择开关，微波频率检测器，微波相位检测器，直接加热式微波功率传感器级联构成，两个固支梁之间的共面波导长度为λ／４；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度分别相同，待测信号经第一端口输入，并由第二端口输出到下级处理电路，由第四端口和第六端口输出到微波相位检测器，由第三端口和第五端口输出到通道选择开关；通道选择开关的第七端口和第八端口接直接加热式微波功率传感器，通道选择
东南大学
2021-04-14
固支梁Ｔ型结直接加热在线式已知频率微波相位检测器
本发明的固支梁Ｔ型结直接加热在线式已知频率微波相位检测器由六端口固支梁耦合器，微波相位检测器和直接加热式微波功率传感器构成；六端口固支梁耦合器由共面波导，介质层，空气层和固支梁构成；共面波导在ＳｉＯ２层上，固支梁的下方沉积介质层，并与空气层，固支梁共同构成耦合电容，两个固支梁之间的共面波导长度为λ／４；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口和第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待测信号经六端口固支梁耦合器的第一端口输入，由第三端口和第五端口输出到直接加热式微波功率传感器，由第四
东南大学
2021-04-14
功能化多孔硫化锌纳米微球固相萃取柱及其制备方法
【发 明 人】朱栋；文红梅；池玉梅；邓海山；康安；韩疏影【摘要】本发明涉及一种功能化多孔硫化锌纳米微球固相萃取柱及其制备方法，固相萃取柱的基质为功能化的多孔硫化锌纳米微球，是由原始多孔硫化锌纳米微球经胺基化、羧基化共价化学修饰所得。该功能化多孔硫化锌纳米微球的填装高度为(0.6~1.2)cm。主要适于植物提取液、中药复方及生物样品中生物碱的富集和分离。本发明固相萃取柱具有对目标物质回收率高(92%-105%)，制备成本低，材料易得，功能化过程简单，适应性强，易于批量生产的特点，具有很好的应用前景。
南京中医药大学
2021-04-13
一种基于对偶模态方程的确定性声固耦合响应预示方法
本发明公开了一种基于对偶模态方程的确定性声固耦合响应预示方法，包括如下步骤：（１）将声固耦合系统中的结构和声腔划分成不同的子系统；（２）计算结构子系统和声腔子系统的模态；（３）计算相邻子系统中模态间的耦合参数；（４）建立耦合系统的对偶模态方程；（５）通过前置处理，获得确定性载荷作用下，子系统模态上受到的广义力载荷；（６）计算对偶模态方程，获得所有模态的参与因子；（７）通过模态叠加，计算系统确定性声固耦合响应。本发明提供的确定性声固耦合响应预示方法，把系统划分成连续耦合的子系统，并用有限频带内的子系统
东南大学
2021-04-14
适用于高含硫气藏的固井水泥浆自愈合剂
本项目首次研发了适用于酸性气藏的自愈合剂，该产品能够适应井下复杂工况，有很好的耐久性，可以保证酸性气藏水泥环的层间封隔能力，提高天然气井的产量并延长天然气井的生产寿命。
一、项目分类
显著效益成果转化
二、成果简介
水泥环微裂缝会造成层间封隔失效，这是影响川渝地区高含硫气藏安全开采的一个主要难题。在水泥浆中使用自愈合剂可以使水泥环微裂缝在井下自愈合，但目前国内外均缺乏适用于酸性天然气藏的自愈合剂。本项目首次研发了适用于酸性气藏的自愈合剂，该产品能够适应井下复杂工况，有很好的耐久性，可以保证酸性气藏水泥环的层间封隔能力，提高天然气井的产量并延长天然气井的生产寿命。该项目已完全成熟，已授权2项国家发明专利（ZL201410280331.5和ZL201410255273.0 ），该项目填补了国内外酸性气藏自愈合剂的空白，属于国际首创，技术先进，水泥环的自愈合率达70%以上。
西南石油大学
2022-08-16
纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的制备
氧化铟锡（indium-tin-oxide）简称ITO，ITO靶材是一种功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明导电膜玻璃。以金属铟、锡为原料采用共沉淀法制备出纳米级ITO复合粉体。粉体造粒成型后分别采用加压和常压烧结法制备出相对理论密度大于99.5%、氧化铟单一相的ITO靶材。 粉体纯度大于99.99%、颗粒分散性好，粒径10nm—80nm之间可控，BET比表面积30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相对理论密度99.5%。 威海市蓝狐特种材料有限公司已采用该技术建设年产20吨纳米级氧化铟锡复合粉体生产线，采用该粉体烧制的ITO靶材相对理论密度达到99%以上。国内相对理论密度大于99%的ITO靶材主采用进口产品。 金属铟、锡是我国的优势资源，生产设备都是定型通用设备，年产20吨纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的生产厂需要人员50名。纳米级氧化铟锡粉体制备已建设年产20吨生产线。高密度ITO靶材的制备已完成实验室小试。
北京化工大学
2021-02-01
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。
传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。
本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。
大连理工大学
2021-05-10
单畴超导块材Gd-Ba-Cu-O 的制备与其超导性能的研究
直径为25 mm的YBa2Cu3O7-δ(Y123)单畴超导块材在温度为77K时，捕捉磁场高达4 T；而在29 K时，捕捉磁场甚至达17 T，优越的性能促进了该类超导材料在电机、发电机、工业污水处理、医学核磁共振等方面的应用研究。
本课题以通过熔融织构方法生长高性能的单畴超导块材作为研究对象，选择合适的单相氧化物作为第二相生长GdBa2Cu3O7-δ超导块材。在制备的高质量系列样品的基础上，通过低温磁性测量分析临界电流密度随温度及掺杂量的变化曲线；分析微观结构，揭示第二相、缺陷等对超导性能影响的原因。以期找出提高超导块材性能的合理生长方法，对其微观机制给出尽量圆满的解释。这也为澄清与当前超导材料前沿课题紧密相关的一些基本问题的理解提供基础研究资料。
该项目已获国家自然基金项目立项支持。
上海电力大学
2021-04-29
一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法
本发明涉及金属材料加工技术领域，具体涉及一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法。包括以下步骤：将超高纯铝板材于５０℃～３００℃下热轧，道次压下量控制在４０％～５０％；将热轧后的超高纯铝板材在１００～３００℃温度下保温０～１小时；然后进行冷轧，道次压下量控制在４０％～５０％，通过对板材进行道次间空冷、水冷以及冰水冷却控制板材轧制过程的温升，抑制板材的
东南大学
2021-04-14