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一种生物质催化热解制取富含愈创木酚生物油的方法
本发明公开了一种生物质催化热解制取富含愈创木酚生物油的方法，其特征在于， 以碳酸钠为添加剂，称取一定量的添加剂，配成水溶液，加入粉碎后的生物质原料，保持生 物质原料和添加剂质量比为 8-10％时，干燥去除自由水分，再置于流化床裂解反器中裂解， 裂解产物经冷凝后得到富含愈创木酚生物油。本发明的原料来自天然的生物质，无毒，反应 过程简单，同时原料廉价，真正做到了变废为宝。针对现阶段生物质催化热解后添加剂随固 体产物随意丢弃的现象本发明也提出了一套措施-循环利用催化剂，本发明不仅得到了制取 富含愈创木酚的生物油方法，也更经济环保的解决了热解过程后催化剂何去何从的问题
安徽理工大学
2021-04-13
3-(1-芳基-2-(2-氮杂芳烃)乙基)-4-羟基香豆素及其制备方法
本发明为3-(1-芳基-2-(2-氮杂芳烃)乙基)-4-羟基香豆素及其制备方法，提供的制备方法以具有式II所示4-羟基香豆素、具有式III所示结构的芳香醛和具有式IV结构的2-烷基氮杂芳烃为原料，在有机溶剂中进行反应，得到具有式I所示结构的化合物。本发明采用“一锅法”合成了具有式I所示结构的3-（1-芳基-2-（2-氮杂芳烃）乙基）-4-羟基香豆素，合成方法操作简单，反应产率较高。而且，本发明提供
青岛农业大学
2021-01-12
中山大学欧阳钢锋、刘威课题组在有机-无机杂化材料研究上取得新进展
杂化材料中的离子键可有效地提高材料的稳定性和在有机溶剂中的溶解性，为高质量薄膜器件制备提供了便利。
中山大学
2022-05-30
国家发改委：把碳达峰碳中和摆在环资工作突出位置
会议指出，推进碳达峰碳中和是党中央经过深思熟虑作出的重大战略决策，是我国对国际社会的庄严承诺，也是推动高质量发展的内在要求。
人民网
2022-01-12
基于分数阶的永磁同步电机速度环控制参数的自整定方法
本发明公开了一种基于分数阶的永磁同步电机速度环控制参数的自整定方法，其通过利用分数阶 PI 控制器代替永磁同步电机交流伺服系统中的整数阶 PI 控制器，并自动地整定所述分数阶 PI 控制器的参数，实现对永磁同步电机交流伺服系统的控制，该方法具体包括：首先采集所述交流伺服系统的电流与速度信号；其次，根据所述采集信号，辨识永磁同步电机伺服系统速度环被控对象模型，识别出模型的参数；最后，对控制参数进行寻优整定，获得最优的控制参数。本发明的方法利用分数阶 PI 控制器取代原有的整数阶 PI 控制器，并自动地
华中科技大学
2021-04-14
一种交流电机电流环并行数字控制实现方法
本发明公开了一种交流电机电流环并行数字控制实现方法，属于交流电机控制领域。本发明包括：将电机电流环系统任务划分为实时控制任务和非实时任务，将实时控制任务划分为硬件实现部分和软件实现部分；在控制周期开始阶段，执行非实时任务；在控制周期中间阶段，同时执行非实时任务和实时控制任务硬件部分；在控制周期最后阶段，执行实时控制任务软件部分；各任务之间调度切换由软硬件结合实现，使系统电流环具有最小控制延迟。本发明基于微控制器
华中科技大学
2021-04-14
催化合成甲基乙烯基二氯硅烷 以制备乙烯基环体
技术原理 ：利用乙炔和二氯氢硅合成甲基乙烯基二氯硅烷单体，再将 单体水解、中和、裂解制得乙烯基环体。后者是生产乙烯基硅橡胶、硅油 和硅树脂的重要原料。 技术特点 ：解决了硅氢加成反应中催化剂的稳定性及抑制二次加成反 应发生，提高催化剂的选择性（达 96%以上），使该项目首次成功地实现 了产业化。 投资规模 ：实现 100 吨/年乙烯基环体，需要有 500M2 以上的生产厂 房
南昌大学
2021-04-14
天津大学助力空间站环控生保系统通风子系统研制
神舟十二号载人飞船于6月17日从酒泉卫星发射中心发射升空，随后与天和核心舱对接形成组合体，3名航天员进驻核心舱，进行了为期3个月的驻留，开展了一系列空间科学实验和技术试验。神舟十二号载人飞行任务的圆满成功，为后续空间站建造运营奠定了更加坚实的基础。
天津大学
2021-09-23
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10