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双门保密柜
产品详细介绍产品：保密柜、保密文件柜、高档文件柜、电子保密柜、固银保密柜 产品性能及特点： 门板为1.5mm，柜体为1.2mm，钢板厚度为普通文件柜的2倍 重量为103KG，是普通文件柜重量的2倍，难以搬动 电子密码锁可任意更改密码，并且带报警功能，使用更方便更安全 内部层板的承重力更强，不必担心文件或物品的坍塌；层板可调节 表面经过脱脂、酸洗、磷化多道工序的严格处理，选用优质塑粉喷塑而成 门为乳白色，柜体为深蓝色，搭配稳重优雅 具有较好的保密功能，解决了普通保险箱空间太小，不能存放大量文件的矛盾 半节保密柜可单独摆放使用，更实用，更方便 使用场所： 老板、经理人、主管存放重要的物品资料 企事业单位的财务室、档案室、电脑房存放贵重资料 国家机关单位的档案室、保密处、机房等 其它对文件或物品承重有特殊要求的单位或个人
上海固银实业有限公司
2021-08-23
双组升降板
产品详细介绍
育才控股集团股份有限公司
2021-08-23
双金翻转棋盘
产品详细介绍
甘肃兰州教学设备厂
2021-08-23
基于液态金属电极的可植入式微泵
项目组于2013年首次发现PDMS在微尺度下的电子输运现象,并将此现象结合液态金属电极提出基于液态金属的微电渗泵,并在实验室内获得成功.该项新技术大大减小目前微泵的尺寸以及驱动电压,并有效控制微泵的制作成本和复杂度.该微泵可以对多种流体进行有效的微观无损控制,可以用于长期性植入式微量给药。
中国科学院大学
2021-04-10
新型纳米复合W-氧化物电极材料
W-氧化物电极材料（通常氧化物种类为ThO2,CeO2及La2O3等，含量为2%重量百分比）广泛应用于惰性气体保护电弧焊和等离子体焊接、切割、喷涂、熔炼等工业领域。在使用过程中，电极材料担负发射电子，维持电弧稳定燃烧的作用，同时还承受高能离子轰击和高烧蚀等恶劣服役条件。正是由于其重要地位，电极材料被誉为电弧等离子体发生器的"心脏"。采用先进特殊工艺开发的新
西安交通大学
2021-01-12
一种逆向渗流式生物电极系统
本实用新型公开一种逆向渗流式生物电极系统。该系统由布水器、电极模块与电极生物三部分组成。其中电极模块包括钛基层、导电胶层与石墨层三部分，钛基层与石墨层通过导电胶层紧密结合。使用时，基质首先利用布水器进入钛基层，之后通过钛基层的孔洞蔓延至石墨层，最后通过石墨层本身的渗透特性被附着的电极生物利用。本实用新型通过逆转基质流动方向，使得基质由生物膜的内层向外层扩散，增强了基质与生物之间的接触，减少生物死区，强化了生物电极对污染物的去除性能以及对能源的回收效果。
浙江大学
2021-04-13
有机电极材料电化学反应机理
在β-酮胺的氨基位修饰蒽醌，引入π-π及p-π电子共轭效应，蒽醌基团同时增加分子的刚性位阻效应，提高了过渡态α-C自由基聚合或发生副反应的活化能，有效提高了自由基中间体的稳定性。该有机物电极的分子结构及自由基中间体的结构如图1所示。β-酮胺还原后的中间体在π-π和p-π联合电子共轭效应及自由基两侧的侧芳香基团位阻效应的协同作用下，形成了稳定的α-C
南方科技大学
2021-04-14
近阈值到宽电压集成电路设计技术
1.本成果突破了1项关键技术（近阈值集成电路设计技术体系）、2项关键指标领先（工作电压最低、处理能效最高）、实现了3类应用（近阈值单元库、低功耗芯片、定制流程），解决了我国物联网芯片，低功耗近阈值设计关键技术不再受制于人。 2.近阈值技术已经应用于国内多家集成电路企业，新增产值6.3亿元，新增利润1.7亿元。标准单元库电源电压从1.1V降低到0.6V，读写能耗降低了80%。大幅度提成了国产工艺在物联网芯片方面的竞争力。 3.该成果在保证良率的前提下，降低电源电压至阈值电压附近。在国内首次系统性研究低电压（近阈值）集成电路设计方法，突破了低电压片上静态存储器、同步电路的弹性设计方法、模拟/射频低功耗主从结构等三项关键技术，研制的40nm 0.6V低电压标准单元和存储器获得中芯国际的任何，研制的0.6V 6mW低电压导航芯片获得国内领先移动互联芯片设计企业-珠海全志的认可。 4.本成果应用效果显著：1）江苏东大集成电路系统工程技术有限公司整体应用本项目技术，以低功耗核心技术提升物联网终端产品竞争力，研制并规模量产65nm低功耗系统芯片，开发工业级物联网终端产品竞争力，研制并且规模量产65nm低功耗系统芯片，开发工业级物联网移动终端7系列共474580台，近两年新增销售额45976万元，新增利润13793元，在国内物流快递领域应用于顺丰等行业领军企业，取代国外竞争对手优势地位。2)深圳市国微电子采用本项目技术，研发国内最大容量低功耗军用存储芯片，近两年新增销售额5000万元。
东南大学
2021-04-13
一种 APD 工作电压自动选择装置及方法
本发明提供了一种 APD 工作电压自动选择装置及方法，包括直流高压电源，用于为 APD 提供偏置电压信号，脉冲激光模块，用于输 出脉冲激光，峰值检测模块，用于获得 APD 阳极信号的峰值，控制模 块输入端与峰值检测模块连接，第一输出端与直流高压电源连接，第 二输出端与脉冲光源模块连接，控制模块输出第一电压控制信号调整 偏置电压信号先后为工作电压区间两端点，控制模块输出通断信号控 制脉冲光源模块发射或不发射脉冲光，获得在工作电压区间两端点和 有无脉冲光的情况下 APD 阳极信号的峰值，获得 APD 在
华中科技大学
2021-04-14
一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路
本发明公开了一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路。构建 了两个工作于饱和区的 MOS 管，使流过这两个 MOS 管的电流相等且 由其栅源电压的绝对值之差得到，并利用该电流产生基准电流或基准 电压。在这两个 MOS 管的导电类型相同时，通过调整其尺寸，将其栅 源电压的绝对值之差转化为其阈值电压的绝对值之差；在这两个 MOS 管的导电类型相反时，通过调整其尺寸，使输出的基准电压对温度的 导数为 0。本发明能有效消除
华中科技大学
2021-04-14