产品详细介绍 常用规格： 250ml×4， 500ml×4,1000ml×4,2000ml×4 每种规格又分单表显示定时和多表显示定时。 QQ-44自动萃取仪    本仪器是利用气动原理，完成人用手摇的方法萃取物质，并能精确定时至秒，且效果好，还省时，还能把有害气体通过导管排往室外，彻底把人从麻烦的手摇中解放出来。    自动萃取器为全自动工作方式，能够完全代替人工振摇，不需要在振摇过程中因有机溶剂挥发膨胀而人工“放气”。减轻了实验人员的劳动强度，避免了人与有毒试剂的直接接触，保护操作人员的身体健康。是化验室中不可缺少的常用萃取仪器。    自动萃取器是主要应用于化学实验室中的一种“液一液”萃取装置。    目前在一般实验室中，“液一液”化学萃取一般采用分液漏斗手摇式萃取，这种方法既笨重萃取效率又低，人工劳动强度还大，而且萃取时所用的有机溶剂还会给实验人员带来身体上的毒害。 一、仪器特点 1、重现性好，萃取效率≧98%； 2、萃取速度快，两分钟即可萃取4-6个样品。 3、萃取自动化程度高，即开即用，提高实验人员的工作效率。 4、避免实验人员和有毒萃取剂直接接触。 5、适用于所有“液一液”萃取工作，如水样中的挥发酚类、阴离子合成洗涤剂类、六六六、滴滴涕、水中油等。 二、技术性能指标及规格型号    1.使用电压：220V50HZ    2.外形尺寸：550MM×200MM×600MM    3.大约重量：5KG    4.容量：500ML×4    5.功率：50W    6.排气 量：4×2L    7.主要规格：250×4ML，500×4ML，1000×4ML，2000×4ML。    8.型号介绍：①QQ-4 每台仪器有四套玻璃仪器，一只气泵，无定时表。各组玻璃仪器串联使用，如每组玻璃仪器内的物质不同，又不易互混，则不能使用该仪器。             ②QQ-41每台仪器有四套玻璃仪器，四只气泵，一只定时表。每组玻璃仪器可单独使用，独立工作，互不串气；定时同时使用。             ③QQ-44每台仪器有四套玻璃仪器，四只气泵，四只定时表。每组玻璃仪器可单独使用，独立工作，互不串气；定时也可单独使用，真正的完全独立工作，互不影响。     9.材质工艺：底座外壳采用喷塑工艺，支架采用不锈钢或无色透明的聚酯材料。定时表采用能精确到九九小时至百分之一秒的名牌产品，质量稳定，性能可靠；气泵采用出气量大、均匀、稳定且具有大小气门开关的微型泵。 三、仪器的安装与使用 1、把支架、顶板、底板按照各自的实际位置用螺丝固定在底座上，并看一看是否周正，如果螺丝孔不正对着，可对调互换一下再用螺丝固定好。 2、把导气管剪成需要的长度，连接在底座上对应的出气孔上，并把导气管的另一端连在萃取瓶的进气口上，出气口上的导管引向室外，如是在通风厨中做实验，可不在萃取瓶的出气口安装出气导管。 3、时间设定：时间设定为2-3分钟{可根据自己的具体情况及实验要求灵活掌握时间的长短}，时间一到仪器会自动停止工作。   时间调整：用尖锐物在定时表的面板凹槽处拨动，以改变时、分、秒的设定。 时间数字的意义： ①当数码器中间设为（h）时代表小时，定时范围是1分－99小时99分（前面的数码代表小时，后面的数码代表分）。 ②当数码器中间设为（m）时代表分，定时范围是1秒－99分99秒（前面的数码代表分，后面的数码代表秒）。 ③当数码器中间设为（s）时代表秒，定时范围是0.01秒－99.99秒（前面的数码代表秒, 后面的数码代表0.01秒）。 为了你的安全，请将地线良好接地。  

产品详细介绍三球仪

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本发明公开了一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉，该发明首先将配好的原料进行感应熔炼，制成平均厚度为0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；将制得的速凝片进行氢破碎，脱氢后得到粗破碎磁粉；然后在惰性气体保护气氛下，进行气流磨，得到粒度在1~6μm之间且粒度接近的磁粉；然后将磁粉放入管式炉中，通入流速为50~300mL/min的氨气加热到300~400oC并且保温5~30min后随炉冷却。保温和随炉冷却时继续通入氨气，即可得到核壳结构的NdFeB磁粉。该磁粉由于氮化层的隔绝效果，具有电阻率高、耐腐蚀性强、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化层厚度可控以及氮化层包覆均匀等特点。

本发明公开了一种负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法，该热敏电阻器陶瓷材料的名义化学组成为Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以组成阳离子的氧化物为起始原料，球磨，经过多次煅烧，加入有机粘结剂造粒成型后，烧制而成，烧成片状样品后，两端面上银电极，电极烧渗后，在富氧环境下将样品无电极处覆盖柱面处用中温玻璃釉封接。通过所述制备工艺所制备的热敏电阻器陶瓷材料，在25°C的电阻率为3-1000Ω·m,25-85°C温区的B值为3000-4000K,150°C

超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。

本发明公开了一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面纳尖簇线密集排布构成的一层图案化阳极和一层平面金属纳膜阴极/阳极，它们被分别制作在透光的纳米厚度的基膜/光学介质层的两个外表面上；在加电态下，图案化阳极中的金属平面纳尖与金属纳膜阴极/阳极间形成局域弯曲的锐化电场阵，阴极/阳极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的阵列化纳电场驱控，向各纳电场中电场强度最强部位聚集。本发明基于金属基平面纳尖簇电

本发明公开了一种基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面微纳线尖有序密集排布构成的一层图案化阴极和一层平面阳极，它们被分别制作在一层纳米厚度的透光基膜/电绝缘膜的上下表面；在加电态下，阴极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的电场驱控，向金属平面微纳线尖簇其各纳线尖顶聚集，纳线尖金属电连接线上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数电子被纳线尖顶抽走而减少甚至急剧降低。本发明基于金属平面微纳线尖