短波红外(SWIR)光电探测器可探测1.0–3.0μm的光谱，可广泛应用于遥感、成像和自由空间通信等领域。传统的商用SWIR光电探测器主要依赖于HgCdTe或InAs/GaSb II–型超晶格和InGaAs/GaAsSb II–型量子阱，但是它们都存在一些瓶颈。譬如，HgCdTe半导体存在原料毒性和均匀性差、产率低等问题。而且，HgCdTe SWIR光电探测器必须在低温下工作才能抑制热噪声，以此获得较高的比探测率。此外，基于II

一种PET系统探测器环孔径调节装置，解决现有同类装置结构复杂、成本高的问题。本发明包括固定盘和旋转盘，固定盘上围绕中心圆孔具有N个呈辐射状轮辐分布的滑槽，旋转盘表面具有平面螺纹槽，其在旋转盘表面构成阿基米德螺旋线；旋转盘通过支撑轮悬挂在固定盘底面，固定盘的各滑槽内均装有活动件，在平面螺纹槽旋转作用下，各活动件可以沿滑槽径向移动；固定盘的各滑槽表面均安装有连接板，其与对应的活动件连接；工作时，各连接板上均安装有探测器，各探测器共同构成探测器环。本发明使用一个电机带动旋转盘的转动就能带动一圈探测器沿径向移动，从而改变探测器环的孔径，和现有同类装置相比，大大简化了结构，节约了成本。

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产品详细介绍供应红外电子幕帘，室外红外探测器价格，双鉴红外感应器厂家 产品名称：无线红外探测器产品型号： Sn-818-3F  产品规格： 标准 厂家： 深圳市世宁科技有限公司无线红外探测器也是报警系统最常用的入侵探测器。其探测范围是一个水平110度，垂直79度，探测距离8～12米的空间。移动人体的红外热辐射光波，通过菲涅尔透镜聚焦到传感器上，红外探测器就会发出一个无线信号（报警灯闪亮一下）。特点：* 智能逻辑控制，滤除各种误报* 真实温度补偿技术* 双极性脉冲计数可调* 抗白光干扰* 抗射频干扰（20V/m-1GHz）* 菲涅尔光学透镜* 壁挂或吸顶安装* 报警输出NC 可选择* 采用SMT工艺制造，性能更稳定技术参数：* 工作电压：DC9-16V* 消耗电流：≤18mA(DC12V时)* 探测距离：9m(壁挂)；6m(吸顶安装在3.6m时)* 探测角度：15度* 自检时间：约60S* 报警指示：红色LED* 传 感 器：双元热释红外传感器* 工作温度：-10度至50度* 环境湿度：最大95%RH(无凝结现象)* 安装方式：壁挂或吸顶* 安装高度：1.7-2.5m(壁挂)；2.5-6m(吸顶)* 报警输出：NC 可选择，接点DC28V100mA* 防拆输出：NC,接点DC28V 100Ma* 抗RF干扰：10MHz-1GHz 20V/m* 外型尺寸：110*69.5*40mm亲，你还在为家里东西被盗而烦恼吗？亲，你还在为家中冒烟，液化气泄漏而担心吗？亲，你在外地工作，还在为小孩妻子的安全方面着想吗?亲，你还在为家里的生病的老人无人照料而忧心吗？不用担心，有世宁科技， 一切都是那么简单。我公司同时大量供应门磁窗磁，烟雾报警器，燃气报警器，红外探测器，个人防护用品，商用防盗报警器材，工程建筑类报警主机，总线制主机及相关配件家用防盗报警器。销售经理： 刘生 15013775514/0755-89206127 商务Q 272820915供应红外电子幕帘，室外红外探测器价格，双鉴红外感应器厂家

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成果简介本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上，跟踪国际趋势，形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器，输出功率大于12W，寿命1万小时。主要优势：（1 ）填补国内空白。（2 ）易于光纤耦合。（3 ）多种波长可选。应用简介所处研发阶段：中试阶段适合应用领域：直接光加工、

本发明公开了一种双波长可调谐半导体激光器，该激光器包括 有源区、相位区和光栅区；从下往上依次附着有第一缓冲层、有源层 和第一覆盖层，第一缓冲层、有源层和第一覆盖层构成了有源区；从 下往上依次附着有第二缓冲层、波导层和第二覆盖层，第二缓冲层、 波导层和第二覆盖层构成了相位区；从下往上依次附着有第三缓冲层、 光栅层和第三覆盖层，第三缓冲层、光栅层和第三覆盖层构成了相位 区；在第一覆盖层的上表面设有第一电极，在第二覆盖层的

5G新基建是国家的重要发展战略，宽温高可靠的25Gb/s DFB(分布反馈)激光器芯片是5G光传输核心光芯片，也是当前5G建设的卡脖子问题之一。自主可控的5G光模块DFB激光器芯片对解决光通信“空芯化”问题，推进“中国芯”国家重大战略实施，保障我国通信基础设施安全具有重要的经济和社会效益。因DFB激光器的微分增益随温度上升迅速下降，常规的DFB激光器面临严重的高温高带宽瓶颈。面对5G应用要求的-40~85℃的宽温应用场景，常规DFB激光器芯片往往是超频运行，严重影响可靠性。因此，研制全国产宽温25Gb/s DFB激光器芯片，同时兼顾低成本高可靠需求对推进“中国芯”国家重大战略实施具有重要意义。 本成果创新性地提出一种沟中沟脊波导DFB激光器结构，相比较常规DFB激光器，在脊两侧对称的刻蚀两个沟槽。此结构可抑制注入载流子的横向扩散，提高对光场的束缚，提高芯片带宽，满足芯片高速工作需要。芯片的高温输出光功率大于10mW，单模抑制比大于40dB，实测宽温25Gb/s眼图及误码率均达到商用需求。同时，相比较常规芯片，其制作过程只需多加一步简单的刻蚀，无需二次外延，成本低，做了2000小时的老化试验，其功率变化小于0.5%，具有高可靠性。 图1（a）常规DFB激光器芯片截面图（b）新型沟中沟脊波导DFB激光器芯片截面图（c）新型沟中沟脊波导DFB激光器芯片概图（d）（e）（f）分别为常规芯片、沟脊距为2μm、沟脊距为6μm SEM图 图2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同沟脊距与常规芯片响应曲线对比（d）25℃、55℃和85℃下不同沟脊距与常规芯片响应带宽对比，带宽可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼图（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背传输及10km传输误码率曲线 图3（a）（b）25℃和85℃下常规芯片与沟中沟脊芯片2000小时老化实验结果，功率变化小于0.5%

项目背景：DFB 半导体激光器是光通信领域中最为重要 的器件之一，目前已经有工业级温度（-40°C-85°C）25G 波特率 DFB 大规模量产。但是，从 2000 年至今，DFB 激光器 的 3dB 带宽在全世界范围内几乎没有明显提高，传统的基于 载流子和光子响应的 DFB 激光器在传统的制造工艺下已经趋 近其速率的物理极限，需要用新的物理本质来实现更高速率 的器件，从而进一步提升 DFB 芯片的调制速率和整个光通信 应用的传输速率。本项目研发的 50G 波特率 DFB 半导体激光 器将达到国际领先水平，填补国内空白，打破国外垄断本项 目的实施，应对美国对中国高端材料和芯片的禁售风险。该 产品可在光通信系统中应用广泛，可以承担接入网、数据中 心网络、无线网络、传输网络等多个方面的主力传输工作。 所需技术需求简要描述：本项目期望突破当前 DFB 调制 速率的瓶颈，在目前大规模量产的 25G 波特率 DFB 的基础上， 将速度翻一番，到达 50G 波特率。（1） 两个背靠背 DFB 激 光器产生的光子-光子谐振效应（PPR）研究。（2） 背靠背 DFB 激光器的高速陶瓷载体设计。（3） 50G 波特率 DFB 芯片 和高速陶瓷载体的测试  对技术提供方的要求:1．光电子器件设计领域国际知名 专家，熟悉 50G 波特率 DFB 激光器基本设计。2．完善的 DFB 器件基础知识和模拟能力。3．国内 985 高校教授，技术方案成熟可靠稳定有创新思维，不涉及知识产权侵犯。