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一种基于损伤断裂准则数值预测板料成形断裂的方法
本发明公开了一种基于损伤断裂准则数值预测板料成形断裂的 方法，包括：根据热力学不可逆定律获取金属板料筒形件冲压过程的 受力状态分布，并根据该受力状态分布得到金属板料筒形件冲压过程 中应力的平衡微分方程，根据连续损伤力学理论计算金属板料筒形件 冲压过程中金属板料筒形件发生损伤时，金属板料筒形件的小单元的 面积的变化率，并根据该变化率获得金属板料筒形件的损伤，计算出 金属板料筒形件的损伤和应变之间的关系，最后推导出整个金
华中科技大学
2021-04-14
一种制备/成形非晶合金及其复合材料的方法
本发明公开了一种利用选区激光熔化制备非晶合金及其复合材 料零件方法，运用这种方法，可以制备出尺寸较大、形状复杂、强度 较高、成分均匀、晶化较少的非晶合金及其复合材料零件。该方法具 体包括如下步骤：(1)非晶粉末制备，(2)非晶复合粉末制备，(3)零件模 型准备，(4)基板安装，(5)气氛保护，(6)红光定位，(7)激光加工，(8) 热处理。本发明将选区激光熔化(Selective-Laser-Melting,SLM)技术运用
华中科技大学
2021-04-14
一种加工点外局部加热板料的渐进成形方法
（专利号：ZL 201410380111.X） 简介：本发明公开一种加工点外局部加热板料的渐进成形方法，属于金属塑性加工成型技术领域。本发明方法首先改进现有数控成形机床的夹具，扩大非加工区领域，并同时把非加工区领域划分为压紧区和加热区；在数控成形机床中设置二套环状加热装置，根据板料成形参数的要求，完成成形板料成形所需的NC代码并输入数控成形机床；然后根据渐进成形加工进度，按比例先后接通以及关闭加热块电源，对加工点外非加工区板料进行加热，使
安徽工业大学
2021-01-12
用于薄板热成形性能试验中试样失稳的检测方法和装置
（专利号：ZL 201410446618.0） 简介：本发明公开一种用于薄板热成形性能试验中试样失稳的检测方法和装置，属于金属塑性加工成形技术领域。该检测装置包括X射线发生器或人工放射源、图像增强器、CCD摄像机、图像采集卡、计算机、图像灰度识别控制卡以及显示屏。本发明利用射线实时成像技术，在试验过程中，板料一旦出现失稳-微裂纹，透过板料的射线形成的图像的灰度值有明显的阶跃变化，通过计算机处理软件实时检测出接收到的图像中此阶跃变化，从而给
安徽工业大学
2021-01-12
针织成形鞋材生产装备关键技术及产业化
本项目主要研究针织成形鞋材生产装备的关键技术，研制双针床双贾卡立体提花经编机和针织成形鞋面电脑横机，研究成果已在针织成形鞋材生产中全面推广应用。
1. 主要科技内容：
① 针织成形鞋材装备提花技术；
② 针织成形鞋材装备编织技术；
③ 针织成形鞋材装备控制技术；
④ 针织成形鞋材 CAD 技术。
2、授权专利情况：围绕针织成形鞋材生产装备的关键技术研究，共获中国发明专利授权 13 件、软件著作权登记 2 件，发表学术论文 38 篇。
3、技术经济指标：双针床双贾卡立体提花经编机配有高动能大张力的贾卡系统，可编织双色、间隔效应的立体提花成形鞋材，机速 350 横列/min、最大花高 8000 横列以上；电脑横机具有三功位提花、可控沉降片和紧吊目技术，最高速度 1.2m/s；开发的成形鞋材 CAD 系统具有成形鞋材工艺设计、成形编织模拟等和快速 3D 仿真等功能。
4、应用推广及效益：2012 年以来，项目成果已在六安爱戈斯、晋江昱达、泉州炫龙、常州华誉和常州弘毅等 20 余家针织鞋材生产织造厂家进行了技术推广应用；2014-2016 年中累积新增利润 3.25 亿元、新增税收 5480 余万元。项目研究成果为针织成形鞋材生产企业提供了技术保证，提高了我国针织鞋材生产装备技术水平，增强了企业的创新能力，推动了产业升级与技术进步。
江南大学
2021-04-13
复杂壳体、法兰等管件高性能柔性整体成形制造技术
系统研究了换热器衬环、高压组合电器壳体等管件高性能柔性制造工艺原理及工装夹具装置；发展了装夹板式换热器压板后成形无缝金属衬环的工艺方法，以及同时成形装夹板式换热器压板后同时塑性成形两端法兰的柔性整体成形制造方法；构建了高压组合电器壳体支管及法兰一体化塑性成形工艺方法，以及工艺路径及工具头结构的优化确定方法。
西安交通大学
2021-04-11
有机官能化系列笼型倍半硅氧烷纳米材料制备技术
该技术通过分子设计和环境友好的水解反应，利用顶角-戴帽法和官能团剪裁等手段制备带有多种可反应性基团的中空笼型纳米材料。材料具有质轻、透气、超低介电常数、耐热、易加工、可溶解性、生物相容性等特性，体现了不同于传统纳米材料的优点，与聚合物有非常好的相容性和分散性。这类有机－无机杂化材料实现了将有机材料的耐热性能和高强度与有机高分子材料的加工工艺简单完美结合的目的。 笼型倍半硅氧烷与高分子聚合物的相容性良好，基本可以达到分子级均匀分散，这是普通无机填料无法达到的，得益于笼型倍半硅氧烷分子具有有机部分，既使在惰性基团取代笼型倍半硅氧烷中也可以与有机基体实现良好的相容行为。同时，材料的耐热性能指标（如玻璃化转变温度，5%质量损失热降解温度）均有大幅度提高，这是因为笼型倍半硅氧烷的Si－O骨架部分提供了优异的抵抗热冲击性能，此外，还可以利用多官能化笼型倍半硅氧烷进行交联反应实现三维交联结构，以进一步提高耐温性能。另外，笼型倍半硅氧烷可以作为各种催化剂和其他功能性材料的载体，在拓宽这些功能材料使用温度的同时提高其某些性能，如提高电致发光材料的发光效率和发光纯度，提高催化剂的催化效率和选择性。 可以预见，随着各个交叉学科领域的不断扩展，笼型倍半硅氧烷作为典型的有机-无机杂化材料的优异性能将会引起人们越来越浓厚的研究兴趣。 粒子尺寸：1.5～3nm；溶解性：根据官能团不同，可溶解于有机溶剂或水；颜色：白色；耐热性：热分解温度在250℃以上。可用于耐高温材料、航空航天材料、复合材料、超低介电材料、塑料及纤维改性、功能高分子材料、特种涂料、生物材料等制备。在高附加值材料领域，应用前景广阔。项目投资300～400万。
北京化工大学
2021-02-01
4HBL-2 型自走式半喂入花生联合收获机
由青岛农业大学与临沭县东泰机械有限公司联合研制成功。能 一次性完成挖掘、输送、去土、摘果、分离、清选及集果等作业。该机能够适 应倒伏花生的扶禾，其扶禾率可以达到 95%以上；研制的双簧自动涨紧夹秧机构， 无需人工调节，在工作中自动缓冲涨紧，稳定性好；研制的对辊差相半喂入摘 果机构，动力消耗少，秧蔓完整，摘净率可以达到 99.5%，果实无破碎；成功研 制的清选机构，降低了发动机的动力消耗，果实清洁，洁净率达到 95%以上。经 山东省农业机械试验鉴定站检测主要性能指标达到或超过了任务书的要求。并 经农业部组织专家鉴定认为，整机主要性能指标达到国际先进水平。项目具有青岛农业大学科技成果介绍 2017 －64－ 广阔的推广前景。
青岛农业大学
2021-04-11
面向工控系统信息安全防护的半实物演示验证平台及方法
本发明公开了一种面向工控系统信息安全防护的半实物演示验证平台及方法；该平台包括依次相连的物理层、控制层和监控层；物理层用于构造并显示虚拟的物理对象模型，并在控制层的控制指令的控制下模拟运行物理对象模型，生成实时现场数据；控制层用于根据物理层上传的生产实时数据与监控层下发的统一调度指令，根据内嵌的信息安全防护算法生成控制指令；监控层用于根据控制层上传的系统实时运行数据和控制指令生成统一调度指令，实现对实际生产过程进行实时的监测与控制
华中科技大学
2021-04-10
在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算，在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的，掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合，在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比，发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙，而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值（Δ/kBTc）约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（约为1.76），表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制，极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量，发现这种材料为s波超导体，且它的超导能隙的带间耦合很强，超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后，又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言，拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现，证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性，推动了拓扑超导相关领域的进一步发展，也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据，揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线，拟合结果发现带间耦合比较大，表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙，揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下，超导能隙是1.7 meV，远大于体态的超导能隙，且能隙与临界温度的比值约为约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（1.76）。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时，不同磁场下的超导dI/dV谱，超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学
2021-04-11