产品详细介绍该装置根据国内外最新加氢工艺,吸收国外同类微反评价装置的优点,融汇我们多年从事加氢工艺装置研究和实践的经验进行设计和制造,配置德国西门子或日本横河等控制系统,系统安全可靠.该装置可用于石化单位,研究机构及高等院校在中高压实验条件下进行加氢工艺研究和催化剂评价,为设计和生产提供可靠的数据和依据,是发展炼油加氢工艺重要的设备.装置特点1.工艺配置零部件及电气仪表部件均采用国外品牌产品,精度高,设计安装合理,试验数据准确可靠.2.装置采用先进危机控制系统和最新版本的正版软件包，具有工艺流程显示，历史趋势，软件调节控制等功能，自动化程度高，运行稳定可靠。还增加高压加氢自动计量和成品油连续释放功能。3.装置采用先进的工艺流程，可在保持FINEREACTOR装置总体技术标准的前提下，根据用户特定的技术考虑及资金状况确定用户自身特地的设计和制作，具有相应的灵活性和合理性。4.装置配置全面的安全管理和报警系统，对人身和设备均安全可靠；同时采用开放式标准模块化设计，更换部件和维修都非常方便。主要技术参数1.微机监控系统反应器温度控制精度：0.2%FS程序升温段数：30段气体流量控制精度:1%SP液体流量设置精度:1.5%FS压力控制精度:0.02MPa2.工艺要求工作温度:室温-650度工作压力:0-20MPa催化剂装填量:5-200mL(根据实际情况而定)气体流量：0-3SLM液体流量：0.01-10sccm

产品详细介绍产品名称:  MS系列Dwyer微压差变送器 产品型号:  MS-111,MS-121,MS-321                                 可测量差压和风速，可带现场液晶显示 特性：量程小，现场可调公制英制2种范围,可监测压差或风速 介质： 空气和非可燃性兼容气体 精度： MS-X21: 0.5" w.c. 和0.25" w.c.: ±1%； 0.1" w.c.: ±2%； 100 Pa 和 50 Pa: ±1%； 25 Pa: ±2%. MS-X11: 5" w.c.和 2" w.c.: ±1%； 1" w.c.: ±2%； 1000 Pa 和 500 Pa: ±1%； 200 Pa: ±2% (@标准条件下) 稳定性： ±1% F.S./年 温度限制： 0~150°F (-18~66°C) 压力限制： 1 psi最大, 可选; 10 psi,脉冲压力 电源： 10~35 VDC (2-线); 17~36 VDC 或隔离的 21.6 ~33 VAC (3-线) 输出： 4~20 mA (2-线); 0~10 V (3-线) 反应时间： 0.5 ~15 sec. 现场连续可调. 提供1.5 to 45 seconds 的95%的反应时间 零偏和满偏： 数字按键 环路阻抗： 电流输出: 0-1250 最大. 电压输出: 最小负载阻抗 1 k 电流消耗： 40 mA 最大 显示 (可选)： 4 位LCD 电气连接： 4-20 mA, 2-线: 欧式端子 16~ 26 AWG. 0-10 V, 3-线: 欧式端子16~ 22 AWG 气压连接： 3/16" (5 mm) 内径管子. 最大外径 9 mm 封装： NEMA 4X (IP66) 安装方向： 膜盒垂直位置 重量： 8.0 oz (230 g) 认证：CE   选型表: 型号 输出 范围 安装方式  MS-121 4-20 mA 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 挂墙或盘装  MS-122 4-20 mA 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 管道  MS-321 0-10 V 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 挂墙或盘装  MS-322 0-10 V 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 管道  MS-111 4-20 mA 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 挂墙或盘装  MS-112 4-20 mA 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 管道  MS-311 0-10 V 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 挂墙或盘装  MS-312 0-10 V 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 管道  MS-131 4-20 mA 10" w.c. (2 kPa) 挂墙或盘装  MS-331 0-10 V 10" w.c. (2 kPa) 挂墙或盘装  MS-141 4-20 mA 15" w.c. (3 kPa) 挂墙或盘装  MS-341 0-10 V 15" w.c. (3 kPa) 挂墙或盘装  MS-151 4-20 mA 25" w.c. (5 kPa) 挂墙或盘装  MS-351 0-10 V 25" w.c. (5 kPa) 挂墙或盘装  MS-021 4-20 mA ±0.1", 0.25", 0.5" w.c. (±25, 50, 100 Pa) 挂墙或盘装  MS-221 0-10 V ±0.1", 0.25", 0.5" w.c. (±25, 50, 100 Pa) 挂墙或盘装 注: -LCD:带LCD显示 -XX-XX2:将型号最后一个数字改为2,管道安装方式

通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算，在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的，掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合，在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比，发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙，而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值（Δ/kBTc）约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（约为1.76），表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制，极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量，发现这种材料为s波超导体，且它的超导能隙的带间耦合很强，超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后，又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言，拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现，证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性，推动了拓扑超导相关领域的进一步发展，也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据，揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线，拟合结果发现带间耦合比较大，表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙，揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下，超导能隙是1.7 meV，远大于体态的超导能隙，且能隙与临界温度的比值约为约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（1.76）。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时，不同磁场下的超导dI/dV谱，超导能隙被外加磁场所抑制。

本发明涉及一种中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ--Ⅵ晶体制备方法，以及基于该晶体构建的激光输出实验装置，属于全固态激光介质领域。本发明激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ--Ⅵ晶体制备方法是利用安瓿双端置掺杂物真空热扩散传输法或晶体双面镀掺杂物薄膜真空热扩散传输法制备得到，并利用二价铬与钴双掺杂离子重叠的吸收波长进行泵浦，同时实现两种离子受激激发，从而获得中红外宽谱可调谐激光输出。

本技术属于溶液法晶体生长设备技术领域，涉及一种有机非线性光学晶体的溶液降温生长方法，特别是一种方形四棱锥底式DAST晶体自发成核生长装置，通过生长装置和底部载晶斜板的特殊设计，大幅增加可用来生长晶体的载晶斜板有效面积，提高DAST晶体生产效率，同时可消除载晶斜板外的自发成核晶体生长，有效提高晶体生长的稳定性，进而大幅改善斜板式自发成核法生长DAST晶体的质量。本发明与现有技术相比，其选用的生长装置结构简单，成本低，组装简便，操作方便，可大幅增加晶体生长缸中用以生长晶体的有效面积，提高DAST晶体生产效率；同时有效控制聚四氟乙烯四棱锥外的自发成核晶体生长，提高晶体生长的稳定性，进而大幅改善自发成核法生长DAST晶体的质量，有效解决了传统斜板式自发成核法中，在斜板之外其它位置容易出现无效的自发成核杂晶生长问题，提高晶体生长的稳定性和生长效率。可望应用于有机晶体的自发成核生长。

本发明提供一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法，包括：（1）准备可弯曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡胶基板表面涂覆粘合剂；（3）在所述基板上沉积栅极；（4）在经步骤（3）处理后的器件上沉积有机介电层单元；（5）在所述有机介电层单元上分别沉积源极单元层和漏极单元层；（6）基板松弛，释放作用在基板上的载荷，并进行热处理，以消除界面应力和器件的压应力；（7）沉积有机半导体层单元。本方法通过一种机械拉伸基板的方法减小器件的沟道宽度，有效提高了制造精度，提升了柔性电子器件的分辨率。

本发明提供了一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，包括鳍型栅场效应晶体管、第二源区与第二漏区；鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区及第一漏区；第二源区的高度不低于第一源区与第一漏区之间的衬底的高度；第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，第二漏区与第二源区中分别掺杂有第一离子与第二离子。该方案解决了鳍型栅场效应晶体管的底部电流泄漏的问题，且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在鳍型栅场效应晶体管的底部并联隧穿场效应晶体管器件结构，可以实现鳍型沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，从而获得更优的超陡开关特性。

项目成果/简介: 机械球磨是一种传统制粉技术，虽应用广泛，但效率较低，介质污染严重等。同时，单一机械能难以诱发材料活化、相变和反应等，不易实现对材料结构的精确控制，部分化合物难以合成。这使得传统球磨在制备高性能功能粉体方面面临极大发展瓶颈。 该技术首次提出将冷场等离子体引入机械球磨过程中，发明了一种高能效、高活性、低污染的介质阻挡放电等离子体辅助球磨（简称等离子球磨）技术及其装备（国家发明和国际PCT专利：ZL2005100362319，ZL201410815093.3，PCT/CN2014/094856），利用近常压下不同气体在球磨罐中形成的高能量电子的非平衡等离子体和机械球磨的协同作用，促进了粉末的组织细化、合金化、活性激活和化合反应等，不仅极大提高了球磨效率，使球磨时间减少了近10倍，显著降低了球磨污染，而且能够形成独特的结构显著提高材料的性能。 该技术先后得到广东省自然科学基金、广州市科学研究计划等支持，发表SCI论文40余篇、申请发明专利15余项；3项专利授权企业实施生产等离子球磨机，2016年至今共销售到30多家高校、研究所和企业。等离子球磨结构示意图等离子球磨应用材料体系知识产权类型:发明专利技术先进程度:达到国际领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:无

机械球磨是一种传统制粉技术，虽应用广泛，但效率较低，介质污染严重等。同时，单一机械能难以诱发材料活化、相变和反应等，不易实现对材料结构的精确控制，部分化合物难以合成。这使得传统球磨在制备高性能功能粉体方面面临极大发展瓶颈。 该技术首次提出将冷场等离子体引入机械球磨过程中，发明了一种高能效、高活性、低污染的介质阻挡放电等离子体辅助球磨（简称等离子球磨）技术及其装备（国家发明和国际PCT专利：ZL2005100362319，ZL201410815093.3，PCT/CN2014/094856），利用近常压下不同气体在球磨罐中形成的高能量电子的非平衡等离子体和机械球磨的协同作用，促进了粉末的组织细化、合金化、活性激活和化合反应等，不仅极大提高了球磨效率，使球磨时间减少了近10倍，显著降低了球磨污染，而且能够形成独特的结构显著提高材料的性能。 该技术先后得到广东省自然科学基金、广州市科学研究计划等支持，发表SCI论文40余篇、申请发明专利15余项；3项专利授权企业实施生产等离子球磨机，2016年至今共销售到30多家高校、研究所和企业。 等离子球磨结构示意图 等离子球磨应用材料体系

本实用新型公开了一种自动捡乒乓球的机器人，包括车辆本体、单片机、舵机、电源、摆臂、球框和弹性绳；所述的车辆本体的前端铰接有摆臂；摆臂顶部固定有圆柱形球框，球框的前端开口，后端封闭，且在开口一侧的横截面上固定有若干条间隔排布的弹性绳，相邻两条弹性绳的间距小于待捡乒乓球的直径；弹性绳所处的横截面与球框开口所处的端面间距离小于待捡乒乓球半径的1/2；摆臂底部与舵机的动力输出轴连接，控制其旋转角度；舵机与单片机和电源相连。本实用新型通过特殊设计的捡球机构，实现了捡取乒乓球的高效自动化。而且，该机器人结构简单，成本较低。