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半冬性甘蓝型双低油菜杂交种华协429
研发阶段/n属于半冬性甘蓝型双低杂交种，在河南区试及生产试验中生育期224-236天，比对照杂98009早0.3-1.2天；幼茎绿色，苗期生长稳健，叶色绿，春季返青后生长快；株高146-171厘米，分枝7-9个，每果粒数20.7-24.28，河南3年试验平均千粒重3.12克，结角密度大（1.26/cm），是该杂种的突出特点，它是2005-06年参试11个品种中结角密度最大的品种。2004-06两年区试平均亩产180.17kg，比CK1增产7.41%，比CK2增产25.84%。品质符合国家双低标准。华
华中农业大学
2021-01-12
丘陵山区低水头发电成套设备研发及示范
项目简介 江苏省丘陵山区国土总面积 148.6 万公顷，约占全省面积的 15%。丘陵山区农业187 基础设施不够完善，水土资源开发利用程度较低，尚有大量岗坡地闲置或半闲置，中 低产田达 44 万公顷。丘陵山区水资源分布不均、电力供应缺乏及季节性干旱是丘陵 山区耕地产出效益低下的主要原因之一。随着工业化和城镇化建设进程的不断加快， 耕地非农化日益严重，对耕地资源非常紧缺的经济大省江苏来讲，如何守住耕地红线， 保住粮食生产面积，丘陵山区无疑是一处极具开发潜力的宝地。 镇江市的丘陵山区密布
江苏大学
2021-04-14
一种用于聚变堆的低活化钢结构材料
本发明公开了一种用于聚变堆的低活化钢结构材料，其化学成分及重量百分比为：C：0.09～0.11％，Si：0.10～0.30％，Mn：0.40-0.60％，V：0.08～0.30％，Cr：9.0～9.5％，W：2.0～2.5％，P：≤0.010％，S：≤0.005％，Ti：0.01～0.03％，N：0.01～0.05％，O：≤0.005％，余量为 Fe。与 Cr-W-V-Ta 系低活化钢相比，本发明提供的 Cr-W-V-Ti-N系低活化钢具有接近的室温综合机械性能和微观组织，而更优的低活性、中子辐照组织性能稳定性及高温特性，更适合在聚变堆高温温度场、强中子场和强磁场的环境下服役，分析该低活化钢结构材料能够满足未来聚变堆第一壁/包层结构材料的使用要求。
华中科技大学
2021-04-11
一种低钼高强度钢及其制备方法
本发明涉及一种低钼高强度钢及其制备方法。其技术方案是：对热轧后的钢板酸洗处理，再采用冷轧机组对酸洗后的钢板按4——6个道次轧制，轧制至0.8——1.2mm，得到冷轧钢板带；将冷轧钢板带在真空加热炉中以20——30℃/s的加热速度加热至570——670℃，保温20——40min，然后以5——10℃/s的冷却速度冷却至200——230℃，随炉冷却至室温。所述热轧后的钢板化学成分及其含量是：C为0.18——0.20wt%，Mn为2.20——2.50wt%，Si为1.20——1.40wt%，Mo为0.08——0.12wt%，P<0.01wt%，S<0.003wt%，N<0.004wt%，其余为Fe及不可避免的杂质；所述热轧后的钢板厚度为3——5mm。本发明具有生产成本低廉、工艺简单和生产周期短的特点；其制品的强度与塑性匹配良好。
（注：本项目发布于2015年）
武汉科技大学
2021-01-12
一种气固混合物中颗粒物浓度的测量装置及测量方法
本发明公开了一种气固混合物中颗粒物浓度的测量装置和测量方法，该测量装置包括称重装置、第一鼓泡装置、第二鼓泡装置、弹簧拉力装置和补重装置组成；称重装置为杠杆结构，杠杆结构的两侧分别为受重杆和测量杆，第一鼓泡装置和第二鼓泡装置分别设置在受重杆和测量杆上，补重装置设置在测量杆上，第一鼓泡装置和第二鼓泡装置为装有液体的封闭式容器，第一鼓泡装置上设有第一进气管和第一出气管，第二鼓泡装置上设有第二进气管和第二出气管。优点是：
首先，本测量装置简单，不受颗粒物理性质的影响，可以通过增加曝气头数目减少操作时间；
其次，通过微小放大原则，将固体颗粒物的质量累积量放大成较明显的弹簧拉力装置的受力变化。
东南大学
2021-04-11
一种基于运算放大器的忆阻器编程电路及其操作方法
本发明公开了一种基于运算放大器的忆阻器编程电路及其操作 方法，编程电路包括：阻变元件、运算放大器、脉冲开关、第一电阻； 运算放大器的反相输入端作为编程电路的输入端，同时连接阻变元件 的一端；阻变元件的另一端连接脉冲开关的一端，同时连接第一电阻 的一端；第一电阻的另一端作为编程电路的输出端，同时连接运算放 大器的输出端；脉冲开关的另一端作为脉冲输入端；运算放大器的同 相输入端接地。本发明利用阻变元件的阈值电压性质，通过
华中科技大学
2021-04-14
一种大功率LED与散热器的零热阻结构及LED灯
本实用新型涉及一种大功率LED与散热器的零热阻结构,及基于此结构的LED灯。大功率LED与散热器的零热阻结构,包括至少一个大功率LED、PCB、散热器,所述的PCB为单面覆铜绝缘基PCB,PCB有用于安装LED的通孔,LED电极引出脚焊接在PCB的导电线上,LED的热沉的外平面与PCB的无导电层面平行、且高出PCB的无导电层面,所述的PCB通过固定装置安装于散热器上,热沉与散热器之间有不含固体颗粒的粘结胶,其厚度接近为零。本实用新型具有LED热沉到散热器的热阻接近为零、导热效率高、LED结温低、可用更大工作电流降低成本、发光效率高、寿命长、工艺简单、成本低等优点,可用于制造各种LED照明装置。
浙江大学
2021-04-13
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下：温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
应用领域：
集成电路、电子元器件
合作方式及条件：具体面议
天津大学
2021-04-11
低介低损耗LTCC微波介电材料及流延技术
成果描述：我们研发的低介低损耗LTCC微波介质材料主要参数满足： 烧结温度：900度 介电常数：5.8~6.5可调 Qf：≥50000市场前景分析：该材料可广泛应用于各种LTCC天线、滤波器等微波集成器件领域和LTCC集成模块的封装领域，市场前景非常好。与同类成果相比的优势分析：目前国内还没有该类型的产品问世，相应研究所和企业主要是购买国外的Ferro公司的A6材料。由于A6材料价格昂贵，且主成分为玻璃体系，限制了其推广和应用。本成果材料主要为陶瓷体系，与LTCC工艺的兼容性很好，且成本低廉，优势明显。
电子科技大学
2021-04-10
物联网终端设备低延时计算卸载通信节能技术
本技术设计了高效功率控制算法，实现了低功耗低延时的无线传输。同时，由于计算任务在数据量和计算量上的差异，本技术实现合理高效的卸载决策，利于有效降低计算延时。可以为未来的通信网络中，计算卸载物联网设备通信节能提供底层的技术支持。
东南大学
2021-04-11