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一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
两亲性Pt(II)配合物气致发光变色性质及存储器件
通过click反应设计合成了一类具有两亲性的磺酸根三齿Pt(II)配合物，这类配合物对VOC的刺激响应具有高度的选择性。在水蒸气和各种醇蒸气分子（甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等）之间具有迅速的变色和发光响应性行为，并进一步制备成薄膜，利用醇蒸气实现了快速写入?擦除功能。在溶液体系中，通过调控溶剂的组成，实现了配合物动态组装?解组装?重新组装的过程。研究组与香港大学任咏华教授合作，进一步制备了存储器件，阈值电压为3.4V，开关比可达105，保持时间达104s，具有良好的二进制存储性能。
中山大学
2021-04-13
Ho改性(Fe)Mn/TiO2超低温SCR脱硝催化剂
非电行业脱硝需求日益增加，而现有催化剂多为中温催化剂(300-400℃)，无法用于钢铁和水泥等行业排放的低温烟气。 该 Ho改性Mn基催化剂，在100-200℃温度区间内，可以实现 90[[%]] 以上的脱硝效率； Ho改性Fe-Mn基催化剂，在60-200℃温度区间内，可以保持 80[[%]] 的脱硝效率。
东南大学
2021-04-11
一种提高冬季低温污水生物反硝化脱氮的方法
本发明提供一种提高冬季低温污水生物反硝化脱氮的方法，该方法包括步骤：采用序列间歇式活性污泥法运行方式，将驯化好的活性污泥和硝酸盐废水置于四个连续搅拌反应器中进行反应，用冷却水循环器将所述反应器中的水温控制在5～15℃温度状态下。从四个反应器中取样测定总氮，我国GB18918-2002要求总氮的最高排放标准为20mg/L，结合测定的结果分析最终排放总氮的量是否达标。本发明的效果是采用该方法能够在低温条件下投加介体后显著提高了生物脱氮，达到了我国《城镇污水处理厂污染物排放标准(GB18918-2002)》要求总氮的最高排放标准。氧化还原介体的应用克服了在低温条件生物脱氮速率慢的缺点并为高效降解含氮污染物提供了新的思路。
天津城建大学
2021-04-11
超低温冷冻异体骨与生长因子纳米微球复合物
独自拥有。
四川大学
2016-04-29
适用于低温工业余热的有机朗肯循环发电机
采用基于有机朗肯循环（ORC）的工业余热回收动力装置是工业余能回收的一种有效途径。而ORC系统发动机（透平）是影响整个系统技术经济性能的关键设备。本项目主要对一种低成本、结构紧凑、流体适用范围广的带叶盘式附面层透平技术开展研究。与常见的向心透平和双螺杆透平等相比，盘式附面层透平具有结构简单、机械加工要求低和成本低廉等特点。此外，盘式附面层透平主要依赖于粘性流体与盘片间摩擦力矩实现热转功，而ORC系统一般采用的有机工质相对于水、空气等具有更高的粘性，这也使得盘式透平应用于ORC系统后，可能具有更佳的
南京航空航天大学
2021-04-14
一种低温共烧微波介质陶瓷基板材料及其制备方法
本发明公开了一种低温共烧微波介质陶瓷基板材料及其制备方 法。该基板材料由 5ZnO·2B2O3 粉料和 Pb1.5Nb2O6.5 粉料混合烧结 而成，其中，Pb1.5Nb2O6.5 的摩尔百分比含量为 4.5～7.0mol％，基板 材料的主晶相为 3ZnO·B2O3，次晶相为 Pb1.5Nb2O6.5，介电常数εr ＝7.7～8.6，品质因数 Q×f＝9974～16674GHz，谐振频率温度系数τf ＝-14～+21ppm/℃，满
华中科技大学
2021-04-14
一种低温合成镁−镍三元金属硼化物的方法
（专利号：ZL 201410611880.6） 简介：本发明公开了一种低温合成镁-镍三元金属硼化物的方法，属于材料合成技术领域。该合成方法包括下述步骤：在真空或氩气气氛下，对卤化镁、镍及碱金属硼氢化物的混合粉末进行2～10h机械球磨处理；然后，在0.5～1atm氢背压下，将球磨产物加热到650～700℃，并保温1～2h后自然冷却；接着，将加热产物倒入蒸馏水中，过滤出固体悬浮和沉淀物后，再用蒸馏水清洗；最后，将水洗固体产物进行烘干，即可获得
安徽工业大学
2021-01-12
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14
原子力显微镜(AFM)虚拟仿真系统
真实还原AFM全流程操作从样品制备(滴样、干燥)→探针校准→扫描参数设置→ 三维成像→ 数据分析
虚拟化沉浸式学习利用虚拟现实技术，真实还原仪器操作流程，有效提高学习效率
智能考核系统自动记录操作轨迹、参数设置合理性、数据处理规范性,生成量化评分报告
教师管理平台教师一键查看班级考核排名、错误率统计,精准定位教学难点
河南元宇宙仪器有限公司
2026-04-24