本项目对柑橘介类天敌资源进行了广泛调查，对重要天敌进行了发掘。I：感研究了日本方头甲不同饲养 方法，分析评价了马铃薯连续饲养桑盾蛤的可行性，找到了抑制马铃薯发芽的技术，研究了桑盾蛤和日本方 头甲接种方法，明确了桑盾蛤和日本方头甲繁殖的最适温度、湿度和光照条件。研发出了日本方头甲包装运 输和种源保存的方法。最终找到了通过马铃薯一桑盾蛤一日本方头甲的途径规模化饲养天敌的关键技术。评 价了室内饲养天敌对介壳虫的控制效果，建立了日本方头甲田间释放技术体系。真正实现了害虫天敌产业 化。通过室内反复配方筛选、工艺研究和田间试验，研制出以苦参和烟草为主，川乌和半夏等多种杀虫植物 经科学配方和特殊工艺萃取而成的高效广谱杀虫剂，在此基础上，系统评价了该产品对多种介壳虫的控制效 果及对天敌的安全性，0.5%苦参碱•烟碱水剂生产技术成功转让重庆东方农药厂并登记生产。该产品是国内 第一个登记用于防治柑橘介壳虫的植物源农药，先后获重庆市重点新产品，重庆高新科技产品，国家星火科 技产品。本项目成果生产的天敌产品一日本方头甲不仅可以有效控制柑橘蛤类害虫，而且对控制桃、梨、李 和樱桃等果树的介壳虫也具有非常好的控制效果。自2000年以来，在柑橘和桃产区推广应用日本方头甲 70余万亩，新增利润24220.5万元。自2003年来，生产销售植物源杀虫剂一果圣1200余吨，满足了 180万亩 柑橘生产对植物源农药的需要,新增加利润12600余万元。本项目丰富了害虫生物防治的研究内容和昆虫规 模化人工饲养理论。对我国天敌昆虫大规模人工饲养和植物源农药创制起到了积极的推动作用,对降低果品 中农药残留，保障市民食品安全具有极其重要的现实意义，同时，有力地促进了各产区绿色果品生产。

本发明公开了一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法,该低介微波 铁电陶瓷的化学通式为 xBaO-yZnO-zSiO2；其中，1≤x≤2，0≤y≤2， 1≤z≤2；其制备方法，包括如下步骤：(1)对 BaO、ZnO 和 SiO2 的混 合物进行湿法球磨处理，并烘干后进行预烧，获得 xBaO-yZnO-zSiO2 基体陶瓷粉体；(2)对基体陶瓷粉体进行湿法球磨处理，烘干后加入聚 乙烯醇造粒，压片后烧结，获得低介微波铁电陶瓷；在球磨处理中采

本发明公开了一种利用电流体直写工艺制备场效应晶体管的方 法，包括:(1)在基板上制备有机半导体薄膜;(2)利用电流体直写工艺， 在具有半导体薄膜的基板上制备平行的直线纤维;(3)通过电流体直写 制备与之垂直的平行介电纤维;(4)在基板上真空沉积金属;(5)在介电 纤维两端涂覆导电银浆，引出栅电极。本发明还公开了相应的产品。 本发明的方法利用介电微纳纤维得到晶体管沟道，沟道长度尺寸与纤 维直径尺寸相当，能够达到亚微米甚至纳米级，同时该纤维也是晶体 管的绝缘层。另外通过一次金属真空沉积，可同时形成场效应

使用自旋泵浦技术将自旋流从坡莫合金（Py）磁性电极穿过厚达40uc的LAO绝缘层注入到二维电子气中，并进行逆Edelstein效应的测量。工作系统地测量了逆Edelstein效应随频率、功率、温度和LAO厚度的变化关系，从各个方面证实了所观察到的信号。实验在室温下展现了门电压对自旋信号的调控作用。

Ø  成果简介：在机械加工总工作量中，约三分之一为孔加工，而深孔加工过程由于排屑困难、切削温度高、轴线定向性差是孔加工工艺中的难点。生产实际中深孔加工的效率往往很低，加工精度也难以保证。本项目主要解决在中、大批量生产条件下，深孔加工刀具的设计与制造问题以及相应的切削技术。采用先进的刀具材料、合理的切削几何结构、有效的排屑及冷却润滑方式，可大大提高孔加工刀具的耐用度和加工精度，生产效率增长一倍以上。替代国外同类刀具，刀具寿命提高两倍以上，刀具转速可达3000rpm以上。各种发动机中

ID-208智能消化炉     ID208智能消化炉是一款依据经典湿法消解原理研制而成的样品消解设备。具有消解快速、安全、稳定等优点。广泛适用于饲料、食品、粮食、土壤、肉类和乳制品等样品化学分析前的消解处理。是凯氏定氮仪等蒸馏法设备的理想搭档。   产品特点： l加热体为铝锭及电加热管一体式直接铸造成型，坚固耐用 l炉内温度连续可调，控温精度高，样品消化稳定性好 l采用2.5寸彩屏显示，进口芯片集成电路控制系统，保证仪器的高品质高标准 l具有曲线和直线两种升温模式，6阶段自动升温，设置简单，加热过程中无需人工操作，并倒计时，到时后自动停止加热并报警 l过热保护，超过设定温度上限时，自动切断电源并报警提示 l加热体与程序控制板采用隔热设计，阳极氧化黑色处理散热器，提高散热效率15%左右，可以最大程度降低与周围环境的热传递，对于程序控制中心起到良好的保护作用，从而达到快速、均匀、稳定的消化效果 l消化支架采用不锈钢材质，机体表面经过喷涂处理，让仪器更美观耐用 l消化管口密封垫片采用耐腐蚀材料，密封效果好的同时不变形且抗老化。采用卡扣设计，易清洗易更换     技术参数： 温度范围 室温~450℃ 控温精度 ±1℃ 加热方式 电加热管加热及铝锭传导 升温速度 约30min（15℃~420℃空载） 隔热方式 分体风道散热器隔热 处理能力 8个/批 消化管容量 300ml 通风要求 排废系统（吸气泵）和通风橱 电源 220V±10%,50～60HZ 额定功率 1800w 外形尺寸（长*宽*高） 335 × 322× 145 mm 净重 15kg       完善的周边附件装置：     排气罩： l采用高性能耐腐蚀密封材料，使用寿命长，密封效果好。 l排气罩采用滴盘设计，有效减少使用后的酸液对桌面等物体带来的腐蚀。 l密封盖采用卡扣式设计，方便更换及清洗。 l玻璃式排气管及不锈钢出气口，能有效减少酸气泄露对周围空气及人员的危害。           一体式铝锭加热体： l采用特制一体式铝模块加热，升温快，受热均匀，消化效果好。 l铝模块耐温高，不易变形。 l电加热管采用镶嵌式模式，能增加铝锭及加热管使用寿命。 l深井式加热孔，孔壁光滑美观，且能提高消化管底部样品的消化效率。       智能液晶温控器系统： l智能液晶控温系统界面美观大方，简单易懂。   l进口芯片集成电路控制系统，提高了安全及稳定性。 lPID参数自检，自动调节加热速率，控温精度高。 l采用超温报警，定时控温一体化，无需人员值守。 l一键式启动设计，杜绝人员操作失误。                                                               售后服务承诺：在一定期限内，产品支持“三包”政策。产品质保两年；终身免费维修；终身提供配件；售后来电1小时内解决故障问题，部分支持上门安装调试维修产品24小时内解决。支持电话、网络、视频指导。

ID-220智能消化炉 ID220智能消化炉是一款依据经典湿法消解原理研制而成的样品消解设备。具有消解快速、安全、稳定等优点。广泛适用于饲料、食品、粮食、土壤、肉类和乳制品等样品化学分析前的消解处理。是凯氏定氮仪等蒸馏法设备的理想搭档。   产品特点： l加热体为铝锭及电加热管一体式直接铸造成型，坚固耐用 l炉内温度连续可调，控温精度高，样品消化稳定性好 l采用2.5寸彩屏显示，进口芯片集成电路控制系统，保证仪器的高品质高标准 l具有曲线和直线两种升温模式，6阶段自动升温，设置简单，加热过程中无需人工操作，并倒计时，到时后自动停止加热并报警 l过热保护，超过设定温度上限时，自动切断电源并报警提示 l加热体与程序控制板采用隔热设计，阳极氧化黑色处理散热器，提高散热效率15%左右，可以最大程度降低与周围环境的热传递，对于程序控制中心起到良好的保护作用，从而达到快速、均匀、稳定的消化效果 l消化支架采用不锈钢材质，机体表面经过喷涂处理，让仪器更美观耐用 l消化管口密封垫片采用耐腐蚀材料，密封效果好的同时不变形且抗老化。采用卡扣设计，易清洗易更换   技术参数： 温度范围 室温~450℃ 控温精度 ±1℃ 加热方式 电加热管加热及铝锭传导 升温速度 约40min（15℃~420℃空载） 隔热方式 分体风道散热器隔热 处理能力 20个/批 消化管容量 300ml 通风要求 排废系统（吸气泵）和通风橱 电源 220V±10%,50～60HZ 额定功率 2400w 外形尺寸（长*宽*高） 380 × 375× 145 mm 净重 23kg       完善的周边附件装置：   排气罩： l采用高性能耐腐蚀密封材料，使用寿命长，密封效果好。 l排气罩采用滴盘设计，有效减少使用后的酸液对桌面等物体带来的腐蚀。 l密封盖采用卡扣式设计，方便更换及清洗。 l玻璃式排气管及不锈钢出气口，能有效减少酸气泄露对周围空气及人员的危害。           一体式铝锭加热体： l采用特制一体式铝模块加热，升温快，受热均匀，消化效果好。 l铝模块耐温高，不易变形。 l电加热管采用镶嵌式模式，能增加铝锭及加热管使用寿命。 l深井式加热孔，孔壁光滑美观，且能提高消化管底部样品的消化效率。       智能液晶温控器系统： l智能液晶控温系统界面美观大方，简单易懂。   l进口芯片集成电路控制系统，提高了安全及稳定性。 lPID参数自检，自动调节加热速率，控温精度高。 l采用超温报警，定时控温一体化，无需人员值守。 l一键式启动设计，杜绝人员操作失误。         售后服务承诺：在一定期限内，产品支持“三包”政策。产品质保两年；终身免费维修；终身提供配件；售后来电1小时内解决故障问题，部分支持上门安装调试维修产品24小时内解决。支持电话、网络、视频指导。

伊辛超导是指超导库珀对的自旋被有效的塞曼磁场固定住，由此表现出极强的的面内临界磁场（远超其泡利顺磁极限）。通过分子束外延法在双层石墨烯终止的6H-SiC(0001)衬底上成功制备出大面积（毫米以上）原子级平整的高质量单层过渡族金属硫化物NbSe2薄膜（仅0.6 nm厚），在此基础上对其覆盖非晶态Se保护层，进而对非原位的电输运物性展开了系统研究。研究发现：单层NbSe2薄膜表现出超过6 K的起始超导临界转变温度和高达2.40 K的零电阻温度，超过了早期机械剥离获得的单层NbSe2以及分子束外延生长的单层NbSe2的超导转变温度。同时，强磁场和极低温下的输运测量结果直接证实了平行特征临界场Bc//(T = 0)是顺磁极限场的5倍以上，符合Zeeman保护的伊辛超导机制（前期NbSe2薄片中的伊辛超导证据需要实验数据的理论拟合在更低温更高磁场下的外推）。此外，极低温垂直磁场下的电输运测量表明，单层NbSe2薄膜在接近绝对零度时的量子临界点表现出量子格里菲斯奇异性。

对四种典型的晶种成核过程进行探索实验，重点研究了其水解成核机理，探索酸度值等成核环境对晶种特性的影响机制