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关于举办第五届全国高校教师教学创新大赛的通知
为深入学习贯彻全国教育大会精神，落实《教育强国建设规划纲要（2024-2035年）》，进一步推进高等教育高质量发展，打造高校教学改革的风向标，经教育部批准，中国高等教育学会决定启动第五届全国高校教师教学创新大赛。
中国高等教育学会
2025-03-19
第五届全国高校教师教学创新大赛启动会在京召开
2025年4月8日，由教育部高等教育司指导、中国高等教育学会主办、北京理工大学承办的第五届全国高校教师教学创新大赛（以下简称大赛）启动会暨专家培训会在北京理工大学召开。
中国高等教育学会
2025-04-09
双转台五轴联动数控机床的夹具高度及加工路径优化方法
本发明公开了一种双转台五轴联动数控机床的夹具高度及加工路径优化方法，该方法包括：(1)生成刀位轨迹文件；(2)提取刀位点位置坐标值和刀轴矢量；(3)计算双转台 A 轴旋转角度θA 和 C 轴旋转角度θC；(4)计算出系数和以及(5)利用这些系数计算出最优夹具高度，由此实现对机床的夹具高度及加工路径优化过程。通过本发明，由于最大程度避免了刀具及安装刀具的机床主轴在机床坐标系下的 X、Y、Z 轴上不必要的平移运动，可以有效地缩短加工时间，并能够避免局部运动幅度过大造成的加工质量劣化和撞刀事故。
华中科技大学
2021-04-11
对采用球头刀具的五轴联动机床平滑加工路径的方法
本发明公开了一种对采用球头刀具的五轴联动机床平滑加工路径的方法，包括：(1)根据加工零件的几何形状和工艺参数，生成刀位轨迹源文件；(2)对源文件依次进行逐行读取、解析并提取其刀位点位置和刀轴矢量，以及判断刀位行有无干涉锥角以确定其锥角值的操作，由此获得锥角刀路文件；(3)对锥角刀路文件依次进行逐行读取，解析并提取其刀位位置、刀轴矢量和锥角，以及确定所有刀位行最优刀轴矢量的操作；以及(4)根据最优刀轴矢量计算刀位点坐标并执行后置处理以生成机床加工路径，从而实现对机床加工路径的平滑处理。通过本发明，能够使刀轴平滑过渡局部变成三轴加工，以消除局部非线性误差，并消除了奇异位置机床旋转轴大幅旋转问题，提高加工效率。
华中科技大学
2021-04-11
一种五轴联动机床回转轴线几何参数测量方法
本发明公开了一种基于触发式测头五轴联动机床回转轴线几何参数测量方法，属于数控系统、机床结构参数测量领域，包括仪器安装、参数设置、碰撞采集和RTCP参数计算步骤。通过数控系统，驱动测头探针与标准球进行碰撞并锁存碰撞点机床坐标，根据坐标计算各个示教点相对应的标准球球心坐标，使用最小二乘数据处理方法，对各个标准球球心坐标拟合主动旋转轴与从动旋转轴轴线方向与空间位置，得到RTCP参数。本发明方法可完成五轴联动机床回转轴线几何参数(即RTCP参数)自动精密测量，实现旋转刀具中心点精确控制。
华中科技大学
2021-04-14
五谷杂粮饮料（包括茶奶）的工业化技术及装备
以有机复合谷类杂粮为主要原料，采用微波烘焙、超微粉碎、冷杀菌（电磁脉冲杀菌、超高压杀菌等）及瞬时超高温杀菌等关键技术及装备对产品营养、稳定性、色香味的影响及加工研究，生产固体或液体健康饮品。
创新要点
独特的营养配方；产品的稳定性、保质期保障；不同口感、色彩；不添加化学合成添加剂。
江南大学
2021-04-11
第五届教创赛同期活动预告：教师教学能力提升系列交流活动之五 生成式人工智能驱动的高等教育教学模式创新学术活动
教育大模型与教学智能体的创新应用
高等教育博览会
2025-08-04
高介孔率、强疏水性新型活性碳材料及其高效吸附回收VOCs技术
高校科技成果尽在科转云
西安交通大学
2021-04-10
含硫、氮和过渡金属元素大孔碳氧化原催化剂的制备方法
本发明涉及氧还原催化剂的制备方法，旨在提供一种含硫、氮和过渡金属元素大孔碳氧化原催化剂的制备方法。该方法是：将硫脲溶液加入葡萄糖溶液，于水浴中滴加盐酸，反应得到葡萄糖硫脲预聚体溶液；将含过渡金属盐和纳米CaCO3粉末的悬浊液加入其中，加热反应后喷雾干燥，得到催化剂前驱体；然后升温进行深度聚合、碳化；冷却球磨，再使用盐酸去除模板，漂洗后干燥，得到产品。本发明将过渡金属元素在多孔材料形成前加入，能够形成更多的催化中心，是催化中心的分布更加均匀。得到的催化剂比表面积大，导电性好，具有极高的催化活性，特别适用于大电流工作状况。合成的非贵金属催化剂可用于多种燃料电池，也可作为空气电池的阴极催化剂，成本低廉。
浙江大学
2021-04-13
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14