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高等教育领域数字化综合服务平台
教务云平台
教务云平台是为省级、市级、区县、学校的数据进行深度分析和挖掘。提供教学检测和可视化查看，帮助区域管理者实时查看整体数据，及时作出科学决策，提升区域教育水平。
武汉天喻教育科技有限公司
2021-02-01
华为云会议
华为云会议，结合企业智慧屏等全系列智能协作终端，为客户提供全场景端云协同视频会议解决方案，满足跨地区、跨企业、跨终端的智能沟通协作需求。
华为技术有限公司
2021-02-01
网易云课堂
2012年12月，专注职业技能提升的在线学习平台网易云课堂上线。面向大学后两年的大学生和初入职场前四年的新人。2017年12月，网易云课堂推出“行家计划”，拟培育100位年收入500万级的知识行家。
北京网易有道计算机系统有限公司
2021-02-01
运维云
面向区域录播管理应用设计的在线运营服务系统，实现所辖录播设备基于网络的统一接入管理，打造智能化、系统化、便捷化、实时化的远程运维服务。
轻松满足：
·信息化设备大数据展示
·所辖前端集中在线运维
优势特点
直观可视的数据中心
通过电子地图的形式，按区域、分层级展现前端设备建设、使用情况，直观展示区域设备数据中心应用成果。
全天候的设备运行监控
系统全天候对接入设备进行状态监控，设备异常信息实时获取，及时跟踪排障。
高效的远程集中运维
接入设备远程参数配置、系统版本在线升级管理，足不出户即可实现整个区域的设备运维。
广州市奥威亚电子科技有限公司
2022-12-21
新型高密度存储材料与器件
已有样品/n“新型高密度存储材料与器件”面向大数据时代对海量数据存储和处理的需求，研究相变、阻变、铁电等新型存储材料和器件的设计与制备关键技术，发展用于高密度存储阵列的选通器件及三维集成技术，研制兼具信息存储、逻辑、运算、编解码等多功能的新型原型器件以及柔性阻变存储器原型器件，将为我国发展具有自主知识产权的新型高性能存储材料与器件奠定技术基础。
中国科学院大学
2021-01-12
3D NAND 存储器研发
已有样品/n3D NAND 是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长，从而拓宽了存储技术的发展空间，但其结构的高度复杂性给工艺制造带来全新的挑战。经过不懈努力，工艺团队攻克了高深宽比刻蚀、高选择比刻蚀、叠层薄膜沉积、存储层形成、金属栅形成以及双曝光金属线等关键技术难点，为实现多层堆叠结构的3D NAND 阵列打下坚实基础。
中国科学院大学
2021-01-12
净气型危化品智能存储柜
净气型危化品智能存储柜专为有害化学品存储而设计，适用于各种领域，各种化学品类型。产品具有通风、净化、防盗、防潮、智能管理等功能，可存储大多数在实验室使用的化学品，净化柜内有害气体，高效环保。
系统特点：
●实现危化品取用的权限访问控制，双人脸识别开门，使用授权管理，支持工牌、指纹密码开门，提高人员管理透明度。
●利用物联网、互联网技术对危化品进行智能化管理，柜内环境实时监测（VOC、温度、湿度），保证使用安全。
●危化品智能称重，错放漏放报警，未关门报警，缺货自动提醒，存储异常自动报警，减轻工作人员管理负担。
●自动化、智能化管理，全景摄像头，远程实时数据同步，现场环境实时掌控。
●危化品管理实现一物一码，全程可视化及全程追溯管理，实现精准库存及使用管理，避免使用差错。
●实现危化品存取的自动感知和库存的自动盘点，自动台账，本地与远程云平台数据同步。
江苏三棱智慧物联发展股份有限公司
2021-12-08
一种云视频的资源分配和开销优化方法
本发明公开了一种云视频的资源分配和开销优化方法，包括建 立用于描述频道分布、用户带宽分配、总运营成本以及服务质量(QoS) 之间关系的数学模型；证明求解该模型是 NP-hard 难的；通过引进罚 函数，将通过频道复制和带宽分配使得开销最小的问题等价转化为通 过频道复制和带宽分配使得收益最大化的问题；提出一种云数据中心 中资源分配和开销优化算法——DREAM，来解决云平台带宽的预订与 分配问题以及确定云数据中心频道的副
华中科技大学
2021-04-14
一种异构存储介质下嵌入式数据库的管理方法
本发明公开了一种异构存储介质下嵌入式数据库的管理方法，具体为：将数据文件分为小数据块和大数据块，将大数据块和优先级低的小数据块存入外存，将优先级高的小数据块存入内存；嵌入式处理器查询到待访问数据的索引块，若该数据块存在于内存，则直接访问数据，若该数据块存在于外存，则访问外存中的数据；在系统空闲期，数据库根据访问情况将部分数据块降级释放到外存，加载部分急需的数据块到内存，以实现动态调度。本发明综合两种存储介质的优
华中科技大学
2021-04-14
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学
2021-04-14