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一种基于四点二元模型的图像纹理特征值的提取方法
本发明提出一种基于四点二元模型的图像纹理特征值的提取方法,首先计算2x2像素块内四个像素点像素值的均值;其次计算每个像素点与均值的差值,若差值大于等于一给定阈值,就置该像素块的位置编码值为1,否则为0;最后将四个像素块的位置编码值乘以相对应的权重后,再将4个乘积求和,就得到该2x2像素块的纹理特征值,本发明只需要计算四个像素点与其均值的差值,得到4bit的二进制码,计算量减少一半且复杂度低,且能有效地表示人脸的局部纹理信息,可应用于人脸检测,识别和目标跟踪系统.
华侨大学
2021-04-29
壳聚糖改性与应用（二）（产品）
成果简介：壳聚糖改性新型快速止血材料——以水溶性的壳聚糖衍生物为原 料，通过接枝改性方法制得了新型的能够对大出血进行快速有效止血的材 料。本材料在第三军医大学创伤、烧伤、复合伤国家重点实验室进行了大量 的性能研究。止血性能研究表明，该材料对动脉喷射状出血具有优异的止血性能(部分实验数据参见表 1 和表 2)，使用该材料后创面恢复情况良好，不 会产生任何刺激作用，具有良好的生物相容性，
北京理工大学
2021-04-14
一种光子晶体薄膜、其制备方法及应用
本发明公开了一种光子晶体薄膜、其制备方法及应用。光子晶 体薄膜包括 Fe3O4 纳米粒子和聚丙烯酰胺水凝胶，所述 Fe3O4 纳米粒 子均匀分散于聚丙烯酰胺水凝胶中，浓度在 1mg/ml～50mg/ml 之间。 其制备方法如下：(1)将 Fe3O4 纳米粒子、丙烯酰胺、甲叉丙烯酰胺和 光引发剂均匀分散于有机溶液中，得到水凝胶光子晶体前体的悬浊液； (2)将凝胶光子晶体前体的悬浊液铺设成 150～300μm 的薄膜；加载
华中科技大学
2021-01-12
一种复合材料、其制备方法及应用
本发明公开了一种复合材料、其制备方法及应用。所述复合材 料具有以金属钴为内核、氮原子掺杂的碳纳米材料为外壳的核壳结构， 所述金属钴内核表面均匀包裹有氧化钴,其中氮原子的掺杂量在 2％至 9.6％之间，钴原素的质量分数在 5％至 20％之间。其制备方法，包括 以下步骤：(1)将三聚氰胺、浓酸和水按比例混合，加热至透明；(2)加 入碳纳米材料和钴盐混合均匀并冷却；(3)干燥；(4)隔绝氧气的条件下 升温至 500℃至 8
华中科技大学
2021-04-14
苯甲酸酯类衍生物及制备方法和应用
本发明提供一种苯甲酸酯类衍生物，通过化学方法合成一系列苯甲酸酯衍生物，包括酯类化合物、(硫)醚类化合物和酰胺类化合物，合成的化合物大部分具有新的化学结构，并通过体外细胞活性实验证实所合成的苯甲酸酯衍生物有很显著的类似神经生长因子NGF的活性，体内动物实验证实合成的新化合物2，3-二羟基苯甲酸十四脂具有增强老年小鼠记忆的效果，因此苯甲酸酯类衍生物可在制备预防及治疗老年痴呆症神经退行性疾病药物中应用，尤其是在制备治疗阿尔茨海默症(AD)等神经退行性疾病药物中的应用。本发明开拓了苯甲酸酯衍生物新的药物用途，制备方法合理，操作简便。为预防及治疗老年痴呆症等神经退行性疾病提供新的治疗药物。
浙江大学
2021-04-13
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。
电子科技大学
2016-06-08
一种利用数字基高比时间模型的高程定位精度提升方法
本发明公开了一种利用数字基高比时间模型的高程定位精度提升方法,包括首先,利用数字基高比时间模型建立立体测图的交会影像数与高程定位精度的关联模型第二,根据交会影像数与高程定位精度的关联模型构建相机阵列系统第三,将相机阵列系统搭载在飞机平台上对地面拍照,获取影像序列第四,采用多基线影像编组方法对影像序列进行立体测图,解求地面点三维坐标。
北京大学
2021-02-01
一种测量钢筋与水泥基复合材料粘结锚固性能的方法
本发明涉及一种钢筋与水泥基复合材料粘结锚固性能的测定方法，属于建筑结构测定技术领域，该方法包括以下步骤：1)钢筋脱粘段的设置、2)粘贴应变片、3)位移计的设置、4)试验加载、5)数据处理。传统测法是在吊篮下板下的钢筋处用专用支架布设位移计，通过位移计读数减去钢筋脱粘段变形量来计算加载端滑移量，支架安装繁琐，且位移计读数精度不高，影响加载端钢筋滑移量的
东南大学
2021-04-14