采用高性能200W像素1/2.8英寸CMOS图像传感器，低照度效果好，图像清晰度高 可输出200万(1920X1080)@25fps 支持H.265编码，压缩比高，超低码流 支持CVBS/SDI输出 最大红外监控距离30米 支持防闪烁，宽动态，3D降噪，强光抑制，背光补偿，数字水印，电子防抖，适用不同监控环境 支持H.264H,H.264,H264B,H.265，灵活编码，适用不同带宽和存储环境 支持遮挡报警，虚焦侦测，SD卡异常，网络异常，非法访问，动态检测，区域入侵，绊线入侵，物品遗留/消失，场景变更，徘徊检测，全局配置，快速移动，人员聚集，非法停车，音频异常侦测，人脸侦测，外部报警，起立检测，客流量统计，区域人数统计,热度图 支持报警2进2出，音频1进1出，RS485，BNC，128G SD卡，内置MIC 支持DC12V/POE供电方式，支持电源返送，最大电流1A,方便工程安装 支持IP67防护等级 类别 参数 参数值 外观 红外枪 传感器类型 1/2.8英寸CMOS 最大分辨率 200万 扫描方式 逐行扫描 电子快门 1/3s~1/100000s;可手动或自动调节 最低照度 0.002Lux(彩色模式);0.0002Lux(黑白模式);0Lux(红外灯开启) 信噪比 ＞56dB 最大补光距离 30米 补光灯数量 双灯 强光抑制 支持 外调焦 支持 镜头类型 定焦 镜头接口 M12 镜头焦距 3.6mm 镜头光圈 3.6mm:F1.8 视场角 3.6mm:水平:76°;垂直:46° 对角:80.5° 光圈控制 固定 近摄距 3.6mm：0.9mm 智能 支持 智能功能 支持遮挡报警，虚焦侦测，SD卡异常，网络异常，非法访问，动态检测，区域入侵，绊线入侵，物品遗留/消失，场景变更，徘徊检测，全局配置，快速移动，人员聚集，非法停车，音频异常侦测，人脸侦测，外部报警，起立检 测，客流量统计，区域人数统计，热度图,并且可以与报警联动;支持多种触发规则联动动作;支持目标过滤

产品详细介绍小型节能回流焊530上三下二/五温区回流焊QS-F530  http://www.qinsidianzi.com/

产品详细介绍 低功耗型红外二氧化碳传感器COZIR- ambient 功耗仅3.5mW，带温度补偿，湿度补偿，以及感知白天黑夜的环境状态。预热时间仅10S，内置PCB板的封装。有量程0-2000ppm, 0-5000ppm, 0-1%供选择。性能：1)功耗 3.5mW2)峰值电流 33mA3)平均电流小于1.1mA4)电源 3.3～5V5)T90 ＜3分钟6)标准型号温度范围 0°C to 50°C（可扩展-25°C to 55°C）7)湿度适用范围 0 to 95% RH8)存储温度-30°C to +70°C9)尺寸 43mm x 15mm可选项：温湿度传感器，以及其他数字输出

SKD-3106二氧化硫化蒸馏仪 适用标准： 食品安全国家标准，《食品中二氧化硫的测定》GB5009.34.2022。 《中华人民共和国药典》第四部通则2331二氧化硫残留量测定法。   性能特点： 1.1 无人值守: 系统自动完成加热、控温、压缩机制冷、冷却水循环、搅拌和蒸馏。 1.2加热模块： 采用先进的远红外陶瓷辐射加热技术，无明火，功耗小，效率高，寿命长，加热均匀，不易爆沸，耐腐蚀。 各加热组件均可单独控制,互不干扰。 1.3制冷循环模块： 外置制冷：外置定制小体积压缩制冷组件，冷却水密闭循环,节省空间。 1.4蒸馏液防倒吸 仪器蒸馏管路设有单向装置，有效防止蒸馏停止加热后蒸馏液倒吸现象。 1.5蒸馏模式 定时蒸馏:(1-600)分钟任意设定,根据设定程序蒸馏，到定时时间自动停止蒸馏． 各单元蒸馏时间均可独立设置。 1.6方法内置 蒸馏仪内置蒸馏方法，可直接调取，无需频繁输入重复数据；亦可根据实验需求自定义方法并保存应用。 1.7 自动搅拌装置 接收瓶底部内置磁力搅拌装置，隐藏式设计，美观大方，各单元搅拌转速可独立设置。 1.8 氮气自动控制 自动控制氮气开启，无需人工操作，仪器内置流量控制装置，能有效调节氮气流量。 2、技术参数： 2.1蒸馏数量：6通道 2.2现实操作：7寸高清触摸液晶屏 2.3控制核心：单片机控制 2.4加热方式：远红外陶瓷辐射加热,无明火 2.5升温时间：＜8min 2.6温度控制：（室温～450）℃ 2.7时间控制：1-600min 2.8防倒吸功能：内置蒸馏防倒吸保护 2.9蒸馏终点控制：定时控制 2.10单通道单控：有 2.11冷却方式：外置制冷压缩机 2.12方法内置：内置蒸馏方法，可直接选择或编辑后保存方法，无需频繁输入重复数据；亦可根据实验需求自定义方法并保存应用。 2.13自动化设计： 2.13.1 具有一键启停功能 2.13.3 相同蒸馏参数6通道一键设定 2.13.4 显示屏实时动态显示蒸馏量。  

SiC/Al 复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合性能，在电子封装领域具有广阔的应用前景。目前广泛采用工艺复杂、设备昂贵的压力浸渗制备 SiC/Al 复合材料。课题组在历经近十年的研发过程中，采用无压浸渗法在空气环境下，成功制备出了电子封装用 SiC/Al 复合材料。该制备技术工艺过程简单，设备要求不高，成本低廉，所制备的复合材料的热物理性能可在较宽范围内调节，具有较好的市场应用前景。于 2010 年获得国家发明专利授权。

成果描述：本实用新型公开了一种带电子显示器的气压式压脚背装置,包括底座、与底座铰接的弧形滑动轨道,弧形滑动轨道的顶部两侧与底座两侧之间分别设有支撑杆,弧形滑动轨道上设有液压充气筒,在弧形滑动轨道与支撑杆的交界处铰接有压力板,压力板上设有充气气垫,充气气垫上设有阀门,液压充气筒通过充气管道与阀门相连接。本实用新型的有益效果是：依靠充气的气体压力来提供压脚背时所需要的压力,相对于传统的压脚背器材能够调节压力、保持压力,并且量化压力值,使用者可以根据压力表盘上的压力值与气压值判断脚背的受力情况,还可以通过压力值与气压值衡量本实用新型是否完好,可折叠、可携带,便于存放、操作简单,结构设计合理,使用安全。市场前景分析：本实用新型的有益效果是：依靠充气的气体压力来提供压脚背时所需要的压力,相对于传统的压脚背器材能够调节压力、保持压力,并且量化压力值,使用者可以根据压力表盘上的压力值与气压值判断脚背的受力情况,还可以通过压力值与气压值衡量本实用新型是否完好,可折叠、可携带,便于存放、操作简单,结构设计合理,使用安全。与同类成果相比的优势分析：国内领先

研究背景 芯片是人类最伟大的发明之一，也是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机，大到6G、物联网、云计算均基于芯片技术的不断突破。半导体光刻工艺水平的发展是以芯片为核心的电子信息产业的基石，目前半导体光刻的制造工艺几乎是摩尔定律的物理极限。随着制造工艺的越来越小，芯片内晶体管单元已经接近分子尺度，半导体制作工艺的“瓶颈效应”越来越明显。随着全球化以及科技的高速发展，急剧增长的庞大数据量要求数据处理模型和算法结构不断优化升级，带来的结果就是对计算能力和系统功耗的要求不断提高。而目前智能电子设备大多存在传输瓶颈、功耗增加以及计算力瓶颈等现象，已越来越难以满足大数据时代对计算力与功耗的需求，因此提高运算速度同时降低运算功耗是目前信息工业界面临的紧要问题。 如当年集成电路开创信息时代一样，当下已经普及的光通信正在成为新革命力量的开路先锋。与此同时，光子芯片正在从分立式器件向集成光路演进，光子芯片向小型化、集成化的发展趋势已是必然。相对于电子驱动的集成电路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特点，利用光信号进行数据获取、传输、计算、存储和显示的光子芯片，具有非常广阔的发展空间和巨大的潜能。 项目功能 本项目瞄准光通信关键技术及核心芯片，基于量子阱二极管发光探测共存现象，探索关键微纳制造技术，研制出可以同时实现通信、感知功能的一体化光电子芯片。 技术路线 一、技术原理及可行性 本项目主要负责人王永进教授发现如图1所示的量子阱二极管发光探测共存现象，首次研制出同质集成发射、传输、调制和接收器件的光电子芯片，这些原创工作引起了业界相关科研小组地广泛关注，化合物半导体同质集成光电子芯片成为研究热点。香港大学的蔡凯威小组和申请人合作提出湿法刻蚀和激光选择性剥离技术，在蓝宝石氮化物晶圆上实现LED基同质集成光电子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉国王科技大学Ooi教授和美国加州大学圣巴巴拉分校Nakamura教授小组在蓝宝石氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院苏州纳米所孙钱小组在硅衬底氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK调制方式下，InGaN/GaN量子阱二极管可实现Gbps的光发射、调制和探测速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。这些工作表明研发基于光子传输的化合物半导体同质集成光电子芯片以实现片上光子通信是可行的。   二、总体结构设计及工艺流程 本项目提出的同时通信/感知一体化光电子芯片基于常规的蓝宝石衬底氮化镓基多量子阱LED外延片进行设计，无需特殊定制的外延结构。以典型的2寸氮化镓基蓝光LED外延片为例，其外延片结构如图2所示，从下至上依次为蓝宝石衬底、AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层，通过调节InGaN/GaN多量子阱层的参数（层厚度与In的比例等等）可制备具有不同中心波长的光源器件。   图3为本项目所提出的同时通信/感知一体化光电子芯片结构。在蓝宝石衬底的氮化物晶圆上通过刻蚀和沉积等一系列晶圆级微纳加工技术，制备出单片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N电极可以采用倒装技术直接与基板相连，光线从透明的蓝宝石衬底发出，这样不仅使得器件具有优良的电性能和热特性而且简化了其后期的封装工艺。 三、技术创新优势 1、同一块晶圆上集成LED和PD使得两者间距离大大缩短，不仅有助于增强PD对蓝宝石表面反射光线的耦合，提升感知系统性能，而且缩小了器件整体外形，符合集成电子器件小型化、便携化的发展趋势； 2、单片集成的LED和PD器件相比于传统异质的、分立的LED和PD简化了封装形式和工艺，不再需要对LED和PD进行单独的封装，而且同质集成器件的基板也较异质结构的简单统一，极大地缩短了集成系统的制作周期； 3、同时通信/感知一体化光电子芯片采用相同的工艺就可以制作出LED和PD，简化了生长异质材料的复杂性，缩短了器件流片的周期，使用同一工艺就可将LED和PD进行批量生产，有效地降低了生产成本。 四、实验验证 本项目团队所在的Peter Grünberg研究中心拥有完整的LED器件制备、光电性能测试与电学性能测试平台，并且项目成员积累了丰富的测试技术与经验，能够满足本项目的同时通信/感知一体化光电子芯片测试同时表征光电参数与电学参数的需求。下图4所示为器件形貌表征图，从左边依次是扫描电镜图、光镜图、原子力显微镜图。   基于通信感知一体化芯片，本项目利用单个多功能集成器件成功实现了对人体脉搏的监测功能，如图5所示。   另外基于通信感知一体化氮化镓光电子芯片，我们还实现了照明、成像和探测功能为一体的LED阵列系统，如图6所示。该系统可以在点亮照明的同时，实现对外界光信号的探测与感知，通过后端系统处理后，再将信息通过阵列显示出来，实现多种功能的集成。 项目负责人王永进教授是国家自然基金委优秀青年项目、国家973项目获得者，他以第一或通讯作者身份在Light-Sci Appl.等主流学术期刊发表一系列高质量研究论文，获授权中国发明专利23项，美国发明专利2项，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次专题报道，荣获2019年中国电子学会科学技术奖（自然科学）、2019年南京市十大重大原创成果奖等。

本发明公开了一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法，包 括：制得下层和上层封装结构，这两个封装结构保持对称并在其中央 部位各自具有凹陷延展的区域；制作延性互连结构，该延性互联结构 的整体呈波形分布的曲线结构；将上下层封装结构对应贴合，同时将 延性互连结构封装在中空微腔体中；最后，将绝缘性流体注射至微腔 体内，使其完全填充微腔体并包裹所述延性互连结构，由此完成整体 的流体封装操作。通过本发明，能够显著提高互连结构的拉伸延展性 能，避免面外翘曲现象，并在便于质量操控的同时有效提高互连结构 的稳定性。 

包括Li离子在SnS2中的迁移(Nano Lett 16， 5582，2016），Na离子在SnS2中的迁移(Nano Energy 32, 302，2017)，Na离子在MoS2中的迁移(ACS Nano 9， 11296，2015)。这些具有van der Waals相互作用的二维材料，不仅仅展现出了优异电学、力学、光学性能，也是重要的能源存储材料。作为电池电极材料，van der Waals相互作用系统的最主要特征就是层间相互作用很弱，碱金属离子能够比较容易地在其中发生迁移。他们的研究发现，在二维材料中离子插入和拔出的反应路径是不对称的，这种不对称的反应路径对应着充放电过程中不对称电压平台。该研究揭示了这些层状锂电池电极材料中低能量效率的一个根源。

简介：本发明公开了一种线圈缠绕式电子感应水处理电路及其水处理方法，属于电子感应水处理领域。它包括依次连接的信号处理器、高频信号发生电路、驱动信号放大电路、高频双极性脉冲产生电路及电流检测单元；所述的电流检测单元的输出端与信号处理器的输入端连接。本发明的线圈缠绕式电子感应水处理电路及其水处理方法，它可以适应于不同的水质环境，有效地防垢、除垢、杀菌灭藻及延长供水设备的使用寿命。