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呼吸率传感器
量程：0Pa～10kPa，分辨率：10Pa。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
氧还原传感器
量程：－2000mV～2000mv；分辨率：1mV；可测量氧化还原反应中的平衡点，比较氧化还原反应的强弱。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
光强分布传感器
感光区长度不小于9cm，光电二极管点阵密度不小于15dot/mm。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
光电门传感器
响应时间小于10μs，能分别设置三组挡光、透光时间，拥有测量U型、I型挡光片和单摆的工作模式。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
电流传感器
量程1：-2A～2A，分辨率：0.002A；量程2：-1A～1A，分辨率：0.001A；用于测量任意环路中的电流大小和方向，可测交流电的电流波形，与电压传感器一起使用，可以同时测量电流、电压和功率；具有电流、电压过负荷保护功能。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
磁强传感器
程1：-30mT～30mT，分辨率：0.02mT；量程2：-10mT～10mT，分辨率：0.01mT；拨钮选择，系统自动识别量程；可以测量磁体周围以及通电闭合线圈周围的磁场大小和方向。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
电流传感器
规格：6个操作键，内置锂电，具有LCD显示、数据储存功能，能脱离计算机进行采集、显示、记录数据。与计算机的连接支持两种方式:（1）通过数据采集线直接与计算机USB相连；（2）通过蓝牙与计算机相连。
测量范围1：-3.0A～+3.0A，分辨率：0.002 A
测量范围2：-1.0A～+1.0A，分辨率：0.001A
南京师范大学课程资源研究所
2021-08-23
排温传感器
排温传感器
山东鸣川汽车集团有限公司
2022-03-01
福建省莆田市衡力传感器有限公司
福建省莆田市衡力传感器有限公司
2022-05-24
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。
北京大学
2021-04-11