|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
绝缘栅双极晶体管(IGBT)研究与中试
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行。在国内的生产更是空白。国内的器件应用全靠进口。项目承担人袁寿财是国内最早从事IGBT研究的人员和专家之一，所有技术是自己研制和开发，属自有技术。包括平面工艺和目前最先进的Trench(槽)工艺，采用VLSI侧墙自队准和硅化物自对准技术，使工艺极大地简化
西安交通大学
2021-01-12
氧化物抑制层辅助二维MoX2 (X=S, Se, Te)单层的可控生长
高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件，其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日，课题组在传统的MoO 3
南方科技大学
2021-04-14
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用
本发明属于光电半导体材料技术领域，具体为一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用。本发明改进的溶液蒸发结晶工艺，通过控制溶液浓度、溶剂挥发速率和退火温度，有效提升单晶的尺寸完整性，控制缺陷密度；具体包括：配制合适浓度前驱体溶液；量取前驱体溶液滴至柔性疏水基底上；将液滴蒸干批量获得单晶；进行热退火以释放晶格应力；所得高品质Cs<subgt;2</subgt;AgBiBr<subgt;6</subgt;单晶，元素分布均匀，具有(111)晶面择优取向和优异热稳定性。本发明方法显著缩短生产周期并提升工艺重复性。所述银铋卤化物单晶可用作高效稳定光电探测器的核心功能材料，在光探测领域具有巨大应用潜力。
复旦大学
2021-01-12
GaN 基高压 LED
可以量产/n高压LED是多个LED单元的芯片级串联，互连比多个小功率管芯打线互连更为可靠；且LED单元之间间距很小，光线集中，便于光学设计，可用于高光密度照明，路灯、广场照明和舞台聚光照明等。几个高压LED串联后可直接达到市电电压水平，变压能耗小，驱动设计简单，可用于各种市电照明场合，例如室内照明、园区和工作场所照明等；高压LED能减小驱动电路、光学设计和散热部分的体积，因此 可采用多种灯具形式和适用多种安装场合。
中国科学院大学
2021-01-12
PbTe基热电材料
PbTe材料体系作为p型热电材料有着优异的性能，不但呈现出较高的热电优值ZT=2.3@923K（Energy Environ. Sci., 2015, 8, 2056），并且在室温到900K的温度范围拥有较高的平均热电优值ZTave=1.56，因而其理论发电效率可达20.7%（Nat. Commun. 2014, 5, 4515）。这两篇论文从不同的方法和机制出发，在n型PbTe研究上实现了重大突破，极大地平衡了n型PbTe相较于p型材料性能的劣势。 第一篇论文中，该团队研究发现：通过InSb的复合及实验条件的控制，有效地在PbTe基体材料中引入多相纳米结构，可同时优化该材料体系的热、电输运性能。一方面，纳米相和基体之间的能量势垒（势阱）可以通过能量过滤效应提高Seebeck系数，进而增强功率因子；另一方面，多重纳米相的引入增强了界面处的声子散射可降低晶格热导率。最终，在n型PbTe-4％InSb复合材料中，获得极高的热电优值ZT=1.83（773 K），是目前n型PbTe材料体系中的最高值。
南方科技大学
2021-04-13
新型浆基燃料
新型浆基燃料是将具有一定粒径分布的固体燃料以特殊工艺分散在液体中制成的一种经济的、洁净的、具有良好流动性和稳定性的可代替石油和天然气的液体燃料。南京大学应用在固/液、液/液等多相体系研究方面上的最新研究成果，开发成功了以固体燃料（如煤、石油焦、沥青等）为分散相、以水、油类（如煤焦油、重油、煤焦油等）或醇类（如甲醇等）液体为连续相的浆基燃料以满足不同用户的需求，解决了实现该类燃料稳定分散的助剂开发和制备工程化难题，现已研制成功了具有我国自主知识产权的高效浆基燃料专用助剂等系列产品和节能高
南京大学
2021-04-14
纸基RFID标签
基于导电油墨、纸基衬底和高精度印刷工艺等多个方面进行研究，通过印刷可实现在纸基上制备RFID电子标签。首先，RFID电子标签采用印刷电子技术“增材”方式，一方面增材制造本身减少了原材料浪费，减少了因腐蚀而形成的污染排放；另一方面，印刷工艺大多没有高温制备环节，节省了能源，减少了碳排放。其次，印刷电子技术可以大面积与批量化制造，传统印刷技术已经可以在数米宽的材料表面通过高速连续卷对卷方式印刷报纸或印染布匹，同样方法也适用于印刷RFID天线，因此降低单个RFID标签的成本。最后，RFID电子标签基材是纸
哈尔滨工业大学
2021-04-14
培养基系列
“培养基虽不是细胞培养中唯一重要因素，但确实是最重要的一种。”
——Wurm博士，瑞士联邦科技学会生物工艺学教授
《Genetic Engineering News》（2005）
本公司所使用的总部研发生产的独特培养基，克服大部分市售无血清培养基导致的细胞活性差、贴壁性差以及分泌外源蛋白的能力差等缺点。多层培养瓶的表面作为细胞生长层，是由透气不透水的聚苯乙烯制成，保证细胞得到更充分的气体交换，获得的细胞更健康、活力更强。并采用独特的细胞生长的培养条件，大大提高了细胞的吸附性和生长速度。
目前国内市场主要有无血清培养基和有血清培养基两种。 精准医疗治疗中需要生物试剂，所以在使用过程中对试剂要求极其严格。就细胞培养方面中，其精准源头就是培养基。现在国内乃至国际上所有厂家所生产的培养基都含有人血白蛋白，这就极不符合精准医疗的要求。因为人血白蛋白是从人体血液中提取，其中所含的成分不够明确，使用有人血白蛋白的培养基培养细胞可能会出现基因突变、出现不稳定等一系列问题。而我公司攻克了这一点，总部研发生产的培养基既无血清也无动物源蛋白，这在全球是第一家。
山东斯滕生物科技有限公司
2021-08-26