产品详细介绍 产品性能及特点：        门板为1.5mm，柜体为1.2mm，钢板厚度为普通文件柜的2倍        重量为103KG，是普通文件柜重量的2倍，难以搬动        电子密码锁可任意更改密码，并且带报警功能，使用更方便更安全        内部层板的承重力更强，不必担心文件或物品的坍塌；层板可调节        表面经过脱脂、酸洗、磷化多道工序的严格处理，选用优质塑粉喷塑而成        门为乳白色，柜体为深蓝色，搭配稳重优雅        具有较好的保密功能，解决了普通保险箱空间太小，不能存放大量文件的矛盾        半节保密柜可单独摆放使用，更实用，更方便 使用场所：        老板、经理人、主管存放重要的物品资料        企事业单位的财务室、档案室、电脑房存放贵重资料        国家机关单位的档案室、保密处、机房等        其它对文件或物品承重有特殊要求的单位或个人

XM- 702-2男女两性泌尿生殖系统解剖模型   XM-702-2男女两性泌尿生殖系统解剖模型整合了男性盆腔正矢状切面和女性盆腔正中矢状切面的解剖结构，增加了人体泌尿系统，展示了男性泌尿生殖和女性泌尿生殖的解剖结构形态，共有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。 尺寸：53×38×6cm 材质：PVC材料

XM-908磨牙有两个牙根模型   XM-908磨牙有两个牙根模型放大约8倍，为下颌恒牙磨牙，有四个牙冠结节，经两个牙根冠状切面，伴龋齿，可分解成3部件，共有9个部位数字指示标记及对应文字说明（牙冠、牙颈、牙根、牙釉质、牙本质、牙骨质、牙髓、下颌恒牙磨牙伴龋齿、牙冠结节）。 尺寸：放大约8倍，16.5×8×8.5cm 材质：PVC材料

简单介绍： 视野是指当人的头部和眼球不动时，人眼能察觉到的空间范围，通常以角度表示。人的视野范围，在垂直面内，大固定视野为115°，扩大的视野为150°；在水平面内，大固定视野为180°，扩大视野为190°。人眼佳视区上下、左右视野均只有1.5°左右；良好视野范围，位于在垂直面内水平视线以下30°和水平面内零线左、右两侧各15°的范围内；有效视野范围，位于垂直面内水平视线以上25°，以下35°，在水平面内零线左右各35°的视野范围。 在垂直面内，实际上人的自然视线低于水平视线，直立时低15°，放松站立时低30°，放松坐姿时低40°，因此，视野范围在垂直面内的下界限也应随放松坐姿，放松立姿而改变。色觉视野：不同颜色对人眼的剌激不同，所以视野也不同。白色视野大，黄、蓝、红、绿色的视野依次渐小，手台两用视野计用于测定各种彩色和白色的视野范围。 详情介绍： 一、组成与技术规格 1、 一个可以转动的黑色半圆弧。直径480mm，弧长 +90°—— -90°。弧的背面有以中点为0°，左、右分别有10、20、......90°刻度，表示视点位置。 2、 视点：位于在弧上能滑动的装置中。可分别呈现不同大小和颜色。视点直径：10、6、5、3、1.5 mm，颜色：红、黄、绿、蓝及白色。 3、 在弧的中心有一黄色注视点。 4、 固定头部的下巴支架。被试的左或右眼固定于中心位置。 5、 一个与弧同轴的圆盘位于视野计的背面，圆盘上有放视野图纸的装置。并附有记录用的标尺。 6、 视野图纸有以中点为0°，左、右分别标有10、20、......90°的同心圆，并有标有0--360°位置的放射线。随机附视野图纸10张。   二、使用说明 1、 把视野图纸安放在视野计背面圆盘上，学习在图纸上做记录的方法。（记录时与被试反应的左右方位相反，上下方位颠倒）。 2、 主试选择一种某一大小及颜色（如红色）的刺激。 3、 让被试坐在视野计前。被试戴上遮眼罩把左眼遮起来，下巴放在仪器的支架上，用右眼注视正前方的黄色注视点，一定不要转动眼睛。同时用余光注意仪器的半圆弧。如果看到弧上有红色的圆点，或者原来看到了红色后来又消失了，要求立即报告出来。在红点消失前，觉得颜色的色调有何变化，也要及时报告。 4、 主试将视野计的分度肖拔出，转动圆盘，将弧放到0--180°的位置上。然后，将肖插入相应角度位置的孔中，固定圆盘。把弧上滑轮放在被试左边的半个弧靠近中心注视点处，并移动滑轮将红色剌激由内向外慢慢移动。直到被试看不见红色时为止，把这时红色刺激所在的位置用笔记录在视野图纸的相应位置上。然后再把红色刺激从外向中心注视点移动，到被试报告刚刚看到红色时为止，用同样方法作记录。 5、 再按同样的程序，用红色刺激在被试右边的半个弧上实验。但有一点不同，当红色刺激从内向外或从外向内移动的过程中，会产生红色剌激突然消失和再现的现象。把红色突然消失和再现的位置记下来，这就是盲点的位置。 6、 把视野计的弧依次放到45--225°、90--270°、135--315°等位置上，再按上述程序测定红色的视野范围。每做完弧的一个位置休息２分钟。 7、 按上述步骤分别测定黄、绿、蓝、白各色的视野范围，用相应颜色的笔把被试反应位置记在同一张视野图上。 8、 将另一张视野图纸安放在视野计的背面，让被试戴上遮眼罩，用左眼注视中心黄色注视点，按上述同样程序进行测定和记录。 9、 询问被试各彩色从视野中逐渐消失时感到色调有何变化。   三、结果分析 1、 分别在左、右眼视野图纸上将同色调的各点顺次连接起来（如图）。   2、 根据所测各彩色的视野，从大到小排一个顺序。 3、 比较左、右眼彩色视野的异同。 4、 指出盲点在视野及视网膜上的位置，并计算出它的大小。 5、 比较刺激的大小对视野的影响。   五、注意事项 在视野图上做记录要特别注意：当刺激在左边时，所测得的结果应记录在图纸的右边；刺激在右边应记在图纸的左边。因为彩色视野图是表明对人体外部的不同彩色的可见范围，而不是视网膜上不同的彩**域，所以视野图与视网膜上左右部位是相反的，上下部位是颠倒的。

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

本发明提供了一种微米级磁载型TiO2催化剂，其制备方法包括以下步骤：载体的预处理、微米级磁核的制备、微米级磁载型TiO2催化剂的制备。本发明以微米级MCM-41介孔分子筛为载体，首先将纳米Fe3O4沉积在MCM-41分子筛孔道内，制成微米级磁核；然后采用溶胶-凝胶法在微米级磁核的表面原位生成纳米TiO2。将微米级磁核与TiO2耦合后制备成太阳光响应高活性微米级磁载型TiO2催化剂。通过引入Fe3O4，不仅有效扩展TiO2光激发响应波长，使催化剂吸收波长红移，提高太阳光利用率。而且，微米级磁特性使其更

研发阶段/n拟突破传统的控制流模式，开展新型高能效处理器体系结构的研究，主要研究 内容包括：（1）新型的并行计算模型，拟研究支持控数协同的新型并行计算模型， 为高能效处理器体系结构提供理论指导；（2）新型的高能效处理器体系结构，拟 研究新型计算模型指导下的控数协同处理器体系结构，兼顾通用性和高能效；（3） 基于新器件的高能效体系结构，拟研究基于超导器件的高能效体系结构设计，以进 一步提升处理器能效比；（4）高能效体系结构和应用的协同优化，拟研究后E级计 算典型应用和控数协同体系结构的协同优化，验证新

1973年我校克山病研究室在陕西省黄陵县店头镇进行克山病的病因和防治研究，在祖田医学经典著作《难经》“损其心者，调其荣卫”。在治则指导下，以“荣心扶正”立论，于1975年冬用自拟的中药复方煎剂治疗克山病，取得一定疗效，在此基础上研究了该复方对异丙基肾上腺素引起大鼠心肌坏死的防治作用。又历经8年研制，于1995年3月获准卫生部颁发的新年药证书（95）卫药证字Z-22号，被正式命名为心荣口服液，为国家提供了一个抗心肌损伤新药。

一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准 IC 工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封