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NOx 脱除技术深度集成
西安交通大学 2021-04-10
集成测试软件(ITS)开发
可以提供种类繁多的零部件测试开发选项,以帮助客户减少这些风险和成本
扬州大学 2021-04-14
集成电路设计
设计平台: SUN 工作站, Solaris 操作系统,电路编辑工具 Composer ,仿真工具 Hspice ,版图工具 Virtuoso ,验证工具 Dracula ;双核 PC 机, Linux 操作系统, Mentor 公司全线集成电路开发工具。
大连理工大学 2021-04-13
关于全氧化物界面Rashba二维电子气中自旋和电荷转换的研究
使用自旋泵浦技术将自旋流从坡莫合金(Py)磁性电极穿过厚达40uc的LAO绝缘层注入到二维电子气中,并进行逆Edelstein效应的测量。工作系统地测量了逆Edelstein效应随频率、功率、温度和LAO厚度的变化关系,从各个方面证实了所观察到的信号。实验在室温下展现了门电压对自旋信号的调控作用。
北京大学 2021-04-11
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺,包括步骤:1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>,将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学 2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺,包括步骤:1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2,将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面
华中科技大学 2021-04-14
高纯纳米四氧化三钴
 产品特点   高纯纳米四氧化三钴通过等离子体气相燃烧法制备,纯度高、粒径小、分布均匀,比表面积大、表面干净,无残余杂质,松装密度低,易于分散。   产品参数 产品名称 型号 平均粒度(nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 形貌 颜色 纳米氧化钴 ZH-Co3O450N 50 99.9 31.43 0.36 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4100N 100 99.9 25.79 0.45 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4500N 500 99.9 11.30 0.87 近球形 黑色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理   产品应用   1、高纯纳米四氧化三钴应用于催化剂上面:利用四氧化三钴纳米棒作催化剂,可将汽车尾气中的CO在低温下转化为CO2;   2、可用作颜料、釉料、氧化催化剂、分析试剂,也用于从镍中分离钴等;   3、高纯纳米四氧化三钴具有尖晶石晶体结构,是一种重要的磁性材料、P—型半导体,在异相催化、锂离子充电电池的材料、固态传感器、电致变色器件、太阳能吸收材料和颜料等方便的应用;   4、适用范围:压敏电阻、热敏电阻、氧化锌避雷器、显象管玻壳、锂离子电池等行业;   5、用作锂电子材料,用于氧化钴及钴盐的制备,用作高纯分析试剂、氧化钴及钴盐的制备,用作锂电子材料、氧化钴及钴盐的制备,用于电池材料、磁性材料、热敏电阻等; 也可用作催化剂机制作珐琅等。   包装储存   本品为充惰气塑料袋包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生氧化团聚,影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供,分装。   技术咨询与索样   联系人:王经理(Mr.Wang)   电话:18133608898 0551-65110318 微信:18133608898 QQ:3355407318 邮箱:sales@hfzhnano.com  
安徽中航纳米技术发展有限公司 2025-11-28
电子握力计电子握力测试仪电子握力仪
WCS-100电子握力计   WCS-100型电子握力计具有测量准确、质量可靠、操作简捷、读数方便等特点,主要应用于体质测试中握力数据的测量,面向体育、医卫、劳动、学校、科研等单位开展全民健身活动使用。   技术参数: ■ 量程:0-99.9kg ■ 显示:LCD ■ 分辨率:1%F.S ■ 电压:2节5号电池/直流电源供电
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
新型含碲光电功能晶体及器件
"以α-BaTeMo2O9为代表的含碲的化合物是一类新型光电功能晶体,在偏光、声光、拉曼等光学领域内具有重要的应用价值。此类化合物具有透光宽,双折射大,易生长,物理化学稳定等优点,是偏光和声光器件的优选材料。 山东大学在该系列晶体生长和器件的研究方面具有独立的知识产权,可以生长出大尺寸(≥50 x 50 x 100 mm3),高质量(光学均匀性≤10-5)的单晶;并在器件的制作中突破了国际上单轴晶体的限制,偏振棱镜消光比>30000:1,达到高质量冰洲石器件水平;声光调Q器件衍射效率>84%,高于同等条件下的TeO2器件。晶体生长处于世界领先水平,器件设计具有国际、国内专利,总体水平处于国际领先。该成果获得教育部自然科学二等奖,主要用于先进光学及其电学领域,如医疗、军事、激光加工、激光雷达、激光探测等。据统计,目前国内声光调制器件和偏光器件总产值约为2亿元。而现有的材料已经不能满足相应研究和产业的需求。作为新型光电功能晶体及其器件,在满足现有要求的基础上,填补了此类材料和器件在中红外波段内的国际空白。此外,独立的知识产权有利于产品推广,具有重要的社会和经济效益。 "
山东大学 2021-04-10
高性能红外光电探测器件
红外光电探测器在国防军事方面有重要的应用前景,比如红外制导、红外追踪、夜视仪等等。目前国外使用的主流红外光电探测器是基于碲镉汞的制冷型探测器和氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器。对于碲镉汞探测器来说,一方面在高质量的材料生长上存在很大的挑战;另一方面它需要辅助制冷装置来提供 77 K 的低温环境,极大地限制了其便携性和广泛使用性。而基于氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器由于其热辐射引发电阻变化的机制极大地限制了探测率(小于 10
南京大学 2021-04-14
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