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三岁乳恒牙交替解剖模型XM-928
XM-928三岁乳恒牙交替解剖模型
XM-928三岁乳恒牙交替解剖模型展示了三岁儿童乳恒牙交替期，全口乳牙与恒牙在颌骨内的具体位置，立体感强，其右半部分可以自由替换。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
三亚睿智国研科技有限责任公司
三亚睿智国研科技有限责任公司
2022-07-15
新概念英语第三册【体验版】
强化阅读、写作 名师直播互动 群内助教答疑
世纪文都教育科技集团股份有限公司
2021-02-01
量角器II类圆规三角板
青华科教仪器有限公司
2021-08-23
j2422三项感应电动机
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
XM-SQ三腔两囊管操作训练模型
XM-SQ三腔两囊管操作训练模型
功能特点：
■ XM-SQ三腔两囊管操作训练模型为成人年男性整体人，解剖标志明显，具有真实的内脏器官。
■ 关节灵活，可实现多种体位。
■ 采用高分子材料制成，环保无污染，肤质仿真度高。
■ 进行三腔两囊管压迫术操作，可模拟胃底静脉出血，进行正确操作后，可有效止血。
■ 鼻饲：操作正确可抽出模拟胃液。
■ 洗胃术。
■ 瞳孔示教：一侧瞳孔散大、一侧瞳孔正常。
■ 颈动脉搏动可根据模拟病情进行示教。
■ 导尿术：设有可互换的男女生殖器，正确操作可导出模拟尿液。
■ 静脉注射：可选择不同类型的穿刺针进行训练，操作穿刺时有落空感，穿刺正确后可有回血，并可进行输液等练习。
■ 静脉注射手臂及肌肉、皮下注射模块可更换。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
新华三（H3C）8K云屏
1.新华三8K云屏实现了8K全链路技术突破，搭载行业首创的可插拔8K摄像头，实现了8K超高清显示、8K视讯等功能，X86双系统架构下（Android12、Windows11）性能强悍亦能提供良好的交互体验。同时，集8K超高清显示、8K视讯、白板书写等功能于一体的8K云屏，结合场景定制化软件，推出8K会议、8K医疗、8K教育、8K金融专业解决方案，实现了多场景的数字化重塑，让企业会议简单高效，医疗服务精准把控，优质教学资源有效共享，金融业务高效便捷。
2.新一代8K云屏，真正实现了8K技术下全链路创新突破，囊括了8K超高清显示、8K可插拔摄像头、8K视讯以及8KUI等，做到了真正意义上的商显技术变革。过往部分商显企业提及的8K交互式一体机产品，并未实际落地，新华三8K云屏是能够走进各个企业实际应用场景的真8K产品。
3.新华三8K云屏的8K超高清显示分辨率是7680×4320个像素点，像素高达3300万，相较于行业常规4K显示交互屏提升四倍，图像细节能够在最大程度范围内完美还原，甚至可以清晰呈现发丝纹理，细腻的画质有效协助办公人群处理业务，并带来身临其境的视觉盛宴。
新华三技术有限公司
2022-08-31
一种畜禽粪水重金属钝化与养分氮磷回收的集成处理方法
本发明提供一种畜禽粪水重金属钝化与养分氮磷回收的集成处理方法，利用电离辐照/铁碳微电解流化床的集成技术实现重金属元素的钝化和养分氮磷的活化释放，利用碟管式反渗透/鸟粪石结晶/载水合氧化铁水热炭的集成技术实现养分氮磷的高效回收。铜锌铅铬钝化率大于90％，氮素回收率大于90％，磷素回收率大于95％。
中国农业大学
2021-04-11
低磷多官能团水处理剂甲叉膦酸基羧甲基二乙烯三胺三甲叉磺酸
我国水处理技术起步较晚，大部分是剖析、仿制或依据国外专利研制的，再加上我国水处理剂工业发展历史较短，科研经费有限,因此具有基础薄弱、技术比较落后、整体水平不高的特点。虽然经过“八五”、“九五”攻关在水处理药剂开发方面达到了较高水平，但是随着环保和节水意识的加强，在水处理药剂的低磷化、环保化方面，在水处理药剂生产的连续化、自动化、标准化方面，水处理药剂
南京工业大学
2021-04-14
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10