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一种超声 CT 的成像方法
本发明公开了一种超声 CT 的成像方法。包括将成像区域网格化为 M 个网格点；环形探头以成像区域为中心 360°旋转，获得 Q*N*K组数据；然后获得该数据对应的渡越时间向量 T0 以及直线路径向量L0；最后迭代计算，获得所述 M 个网格点对应的速度分布 V，并将所述速度分布 V 归一化，完成成像。本发明通过优化环形探头中发射阵元以及接收阵元的采集次数和采集角度，并对获得的数据进行处理与图像重建，从而使重建出来的速度分布更精确，以提高成像的信噪比，提高系统的成像质量。
华中科技大学
2021-04-14
一种苎麻生物脱胶的方法
本发明公开了一种苎麻生物脱胶方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)原麻预处理：将苎麻原麻置于高压下，进行搓压处理后，按料液体积比 1:8～1:12 加水浸泡并加热处理；(2)脱胶处理：(2-1)第一脱胶处理：将预处理后的原麻，按料液体积比 1:8～1:12 加水，并调节温度在 33～37℃之间，按照接种量 5～10％加入芽孢杆菌 HG-28 扩大培养菌液，调节初始 pH 值为 6.5～7.5，以每吨 2～4m<sup>3</sup>/h 的通气量通入过滤空气，处理 4～8h，
华中科技大学
2021-04-14
一种修补吸铝管的方法
本发明属于电解铝行业，涉及一种修补吸铝管的方法，尤其涉及通过将熔化的填充材料浇在吸铝管 电击蚀坑处对损坏的吸铝管进行修补的方法。修补原料:硅 14.4%~15.51%，铜 4%~5%，碳 0.5%~0.65%， 锰<0.38%，硫 0.02%，磷<0.02%，稀土 0.1%~0.2%，其余为 Fe。本发明采用局部修补的方法替代整 体更换吸铝管，降低了成本，创造了显著的经济效益。采用高硅铁基金属液浇注后易与蚀坑形成紧密结 合，不易
武汉大学
2021-04-14
一种陶瓷的激光连接方法
本发明公开了一种陶瓷的激光连接方法，具体如下：在待连接 的两个陶瓷工件的连接处留“V”形或梯形的缝隙；在缝隙处按层铺设 与被连接陶瓷工件性能相同或相近的陶瓷焊料如陶瓷薄膜、陶瓷薄片 或陶瓷粉末；每铺完一层陶瓷焊料后，用连续激光扫描预热陶瓷焊料， 进行连接区表面预处理；然后使用超短脉冲激光扫描，使得陶瓷焊料 与被连接的两个陶瓷工件形成连接；依次铺设陶瓷焊料和进行激光扫 描，如此重复直至将整个缝隙连接完全。本发明使用超短
华中科技大学
2021-04-14
一种电极材料的制备方法
本发明公开了一种电极材料的制备方法；该方法包括下述步骤： S11 将正硅酸乙酯的无水乙醇溶液与氨水混合，常温反应至完成，离 心清洗并干燥后获得二氧化硅纳米球；S12 将可溶钴盐、可溶碳酸物 和所述二氧化硅纳米球在水中混合，加热反应至完成，清洗并干燥后 获得二氧化硅-钴盐前驱体；S13 将二氧化硅-钴盐前驱体与硫化钠在水 中混合，水热反应至完成，清洗并干燥后获得硫化钴电极材料。本发 明采用模板法制备过渡金属硫化物电极材
华中科技大学
2021-04-14
一种 MEMS 器件的封装方法
本发明公开了一种 MEMS 器件的封装方法，包括 S1 在框架基 板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层；S2 在 框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜；S3 将芯片键合固定 在框架基板上并实现信号互连；S4 将固定有芯片的框架基板与封盖进 行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构；S5 对封装结构施加压力、 预热后引燃自蔓延多层膜，自蔓延多层膜燃烧并熔化钎料层实现冶金 互连。本发明将封盖直接与框架
华中科技大学
2021-04-14
一种石墨烯的制备方法
（专利号：ZL 201410635484.7） 简介：本发明公开了一种石墨烯的高效制备方法，属于纳米技术领域。该方法主要包括：在低于室温条件下，将天然鳞片石墨原料与硝酸钠、浓硫酸和高锰酸钾混合，球磨处理后，稀释，加双氧水反应，用氢氧化钠中和，随后超声处理，得到氧化石墨烯悬浮液；以水合肼和二氧化硫脲为复合还原剂，对氧化石墨烯溶液进行还原，制得单层或几个原子层厚度的石墨烯。本发明在石墨氧化过程中引入球磨过程，提高了石墨的氧化、剥离效率，减少了
安徽工业大学
2021-01-12
一种金属玻璃的焊接方法
（专利号：ZL 201410782752.8） 简介：本发明公开了一种金属玻璃的焊接方法，属于材料焊接技术领域。本发明针对金属玻璃这类在热力学上处于亚稳态的材料，提出并成功实现了在近室温下金属玻璃焊接工艺。该工艺涉及的焊接设备简单，输出功率低；由于避开了传统焊接过程的高温工艺环节，因而不会引起母材内部的任何结构弛豫，切实避免了焊接过程对母材性能的恶化。为了保证在整个焊接过程中电解液浓度的恒定，本发明采用持续补充溶剂的方法来实现之。此外，本
安徽工业大学
2021-01-12
一种超薄芯片的制备方法
本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。
华中科技大学
2021-04-11
一种高效聚羧酸系减水剂及其制备方法
一种聚羧酸系高效减水剂及其制备方法.用聚乙二醇与丙烯酸酯化合成聚乙二醇丙烯酸酯﹙简称A物质﹚;再将丙烯酰胺与甲醛进行羟甲基化,然后用氨基磺酸进行磺化反应,生成含有碳碳双键并带有酰胺基和磺酸基的B物质;最后用丙烯酸,甲基丙烯磺酸钠,B物质,A物质通过自由基共聚反应,得到聚羧酸系高效减水剂.B物质是一种带有酰胺基和磺酸基的不饱和物质,能提供极性很强的阴离子磺酸基,其中酰胺基可提高减水剂的流动性和分散性能,并成功地合成了一种具有独特性能的聚羧酸系高效减水剂.本合成方法在水溶液条件下反应,无污染且符合国际环保发展方向,原料易得价格较低,工艺新颖反应条件温和,产品性能优异独特,具有广阔的发展前景。
兰州大学
2021-01-12